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Cours exposé
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques
email : nasser_baghdad @ yahoo.fr
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Pr . A. BAGHDAD 1
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 2
Contenu du programme
Chapitre I : Généralités
Chapitre II : Régime continu
Chapitre III : Régime alternatif sinusoïdal
Chapitre IV : Les quadripôles
Chapitre V : Les filtres passifs
Chapitre VI : Les diodes
Chapitre VII : Le transistor bipolaire
Chapitre VIII : L’amplificateur opérationnel
Partie A Circuits électriques
Partie B Circuits électroniques
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FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 3
Chapitre VIII
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FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 4
I. Généralités sur l’amplificateur opérationnel
II. Montages à régime linéaire indépendants de la fréquence
III. Montages à régime linéaire dépendants de la fréquence
IV. Montages à régime non linéaire
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Sommaire
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 5
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FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 6
1°) Définition
2°) Symbole et notation
3°) Brochage
4°) Caractéristiques de l’amplificateur opérationnel en boucle ouverte
5°) Schéma équivalent électrique de l ’amplificateur opérationnel
6°) Propriétés de de l’amplificateur opérationnel en boucle ouverte
7°) Fonction de transfert de l’amplificateur opérationnel en boucle
ouverte
8°) Fonctionnement linéaire et non linéaire de l’amplificateur
opérationnel
9°) Différents modes de fonctionnement
10°) Hypothèses simplificatrices pour un fonctionnement en linéaire
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Un amplificateur opérationnel (A.O.) est un macro-composant qui contient une
vingtaine de transistors (TB ou/et TEC) intégrés sur une même puce semi-conductrice
de dimension de l’ordre du mm2.
La polarisation des transistors internes au composant AO est réalisée à l’aide de
deux alimentations continues symétriques V+ = 15V et V– = - 15V.
L’AO est aussi appelé circuit intégré linéaire (C.I.L.).
L'amplificateur opérationnel peut être utilisé dans un grand nombre de montages
pour, comme son nom l'indique, réaliser de l’amplification ou/et effectuer des
opérations (mathématiques).
1°) Définition
Circuit Intégré (C.I.L)
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Amplificateur opérationnel
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V+ = + 15 V : tension positive d’alimentation.
V- = - 15 V : tension négative d’alimentation.
e+ : borne d’entrée non inverseuse.
e- : borne d’entrée inverseuse.
I+ : courant d’entrée non inverseuse
I- : courant d’entrée inverseuse
ε = e+ - e- : tension différentielle d’entrée
s : borne de sortie.
2°) Symbole et notation
Européen
Masse externe
s
V+
V-
ε
I-
I+ e- e+
Américain
e- e+
s
V+
V-
ε
Masse externe
I-
I+
s = G0 . ε
G0 ≈ 105
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FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 10
Le triangle « » est le symbole de l’amplification et rappelle qu’il s’agit d’un
composant unidirectionnel
Le symbole « ∞ » qui se trouve à l’intérieur du schéma du composant signifie que
l’on peut idéaliser la caractéristique de transfert de l’AIL.
Remarque :
Européen
Masse externe
s
V+
V-
ε
I-
I+ e- e+
Américain
e- e+
s
V+
V-
ε
Masse externe
I-
I+
G0
G0 : amplification en tension statique en boucle ouverte (ou gain continu) (ou gain
en tension différentielle statique).
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Dans le symbole simplifié de l’amplificateur opérationnel (l’alimentation n’est pas
toujours représentée car elle n’intervient pas dans le calcul, mais elle est
indispensable en pratique).
L’AO ne possède pas de masse propre à lui, la masse externe sera donc ôtée du
symbole.
L’AO sera considéré tout le temps idéal, donc I+ = I- = 0, les courants des entrées
seront retirés du symbole.
On s’intéressera à l’utilisation de l’AO en fonctionnement linéaire, donc ε = 0 et e+ = e-, la tension différentielle sera donc retirée du symbole.
Symbole simplifié
e- e+
e- e+
s s
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FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 12
La masse des alimentations symétriques est la référence de tous les potentiels
Il possède 8 bornes (ou 8 broches) mais 5 bornes sont généralement utilisées :
3°) Brochage
+ - + -
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Masse externe
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FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 13
Impédance d’entrée différentielle très élevée : ZE = RE ≥ 1 MΩ
Impédance de sortie très faible : ZS = RS ≤ 50 Ω
Gain en tension différentielle statique (ou gain continu) très élevé : G0 ≈ 105
Amplificateur réel en BO
Amplificateur idéal en BO
Impédance d’entrée différentielle : ZE = RE ≈ ∞ ===> I- = I+ = 0
Impédance de sortie : ZS = RS ≈ 0 Ω
Gain différentielle statique : G0 ≈ ∞
4°) Caractéristiques de l’amplificateur opérationnel en boucle ouverte
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5°) Schéma équivalent électrique de l ’amplificateur opérationnel
Amplificateur réel (AOR) en BO
Amplificateur idéal (AOI) en BO
AOI ===> I+ = I- = 0 car ZE = RE ~ ∞
ε = e+ - e-
s ≈ ∞ ~ e-
e+
ε ∞
0
G0 (e+ - e-)
s
G0 ≈ ∞
ε = e+ - e-
s = G0 ε ~ e-
e+
ε ZE
ZS
G0 (e+ - e-)
s
G0 ≈ 105
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FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 15
dBsoitGGf
TBFdispositifHzqcqf
sradqcqcoupuredepulsation
f
fj
G
j
GsG c
c
cc
100100
100
/10
11 5
0
00
La bande passante BP ou la bande d’utilisation de l’AOR va de 0 à fc.
Comme fc = à qcq 100 Hz alors l’AO est un dispositif TBF (de 0 à 30 kHz)
L’AOR en BO se comporte comme un filtre passe-bas actif du 1er ordre
AO en BO est un dispositif TBF
L’amplification en tension (ou gain en boucle ouverte) dépend de la fréquence.
6°) Propriétés de de l’amplificateur opérationnel en boucle ouverte
Amplificateur réel en BO
)(dBG
G0 (dB) = 100 dB
- 20 dB/décade
F.P.B. 20 dB
40 dB
60 dB
80 dB
0 dB 1 10 102 103
décade
20 dB
Réponse idéale (asymptotique)
flog
G
f
G0 Réponse réelle
Réponse idéale (asymptotique)
fc 0
G0/√2
F.P.B
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ess
e
e
vGvvs
veeve
e
0
0
La fonction de transfert s = f(ε) est fournie en fonctionnement de l’AO en BO
7°) Fonction de transfert de l’AO en boucle Ouverte : s = f (ε )
Amplificateur réel en BO : G0 ≈ 105
+
-
ve
vs
~
e-
e+
AOR en BO
ε
s
-Vsat
+Vsat
ε = e+ - e- Zone 3
Zone 2
Zone 1 ∆ε
εm de qcq mV
mm
Régime saturé
Régime saturé
Régime linéaire
+εm -εm
m
m m
m
s
t
+ Vsat ≈ V+ – (1 à 2 V) - Vsat ≈ V- + (1 à 2 V)
+ Vsat
- Vsat
VVsat 5,13
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On distingue trois zones de fonctionnement :
• Zone 1 : s = G0 ε
• Zone 2 : s = + Vsat
• Zone 3 : s = - Vsat
Dans le domaine linéaire :
5
500 1010.13
5,13
.2
.2
V
VVssGavecGs
m
sat
VmVm
510.1313,0
VVsoitVàVV satsat 5,1321
s
-Vsat
+Vsat
ε = e+ - e- Zone 3
Zone 2
Zone 1 ∆ε
εm de qcq mV
mm
Régime saturé
Régime saturé
Régime linéaire
+εm -εm
m
m
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• Zone 1 se réduit à : ε = 0 e+ = e- et -Vsat < s < +Vsat FL
• Zones 2 et 3 : si ε > 0 e+ > e- alors s = + Vsat FNL
si ε < 0 e+ < e- alors s = - Vsat
On constate que la tension différentielle ε est très faible aux autres tensions du
circuit (de l’ordre du 1/10 du mvolt, le plus souvent) ; on pourra ainsi considérer, dans
la zone linéaire, que ε = 0 (ce qui revient à un gain infini) :
linéairedomaineledans
VVsmaisGss
eesoit
sat
5,130
0
0
Si ε = 0 <====> e+ = e- alors FL
Amplificateur idéal en BO : G0 → ∞
temps
-Vsat
+Vsat s ε
G0 ~ ∞ s
ε = e+ - e-
-Vsat
+Vsat
Zone 3
Zone 2
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Fonctionnement non linéaire
FNL ε s Signal de sortie s n’a pas la même
forme que celui de l’entée e ou complètement déformé
Fonctionnement linéaire
FL ε s Signal de sortie s a la même forme que celui de l’entée e
En fonctionnement linéaire, la tension à amplifier ne pourra pas être appliquée directement entre les bornes inverseuse ou/et non inverseuse : nécessité au préalable d’une boucle de rétroaction
8°) Fonctionnement linéaire et non linéaire de l’AO
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 20
+
-
ve vs
e-
e+ ~
AOI en BO
ve + Vsat
- Vsat
0 T
vs
temps
ess
e
e
vGvvs
veeve
e
0
0
phasedeoppositionenvetv es
Exemple n°1 de FNL :
satVstatiquemmen
sentThéoriquempetitmoindreLe
GAOI
Gs
:Pr
:
0
0
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Exemple n°2 de FNL :
ve + Vsat
- Vsat
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-
ve
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~
e-
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AOI en BO
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. A
. BA
GH
DA
D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 22
00
0
BBetGGAutrement
VsVréactioncontreenAOI satsat
es
e
s
vv
eeve
ve
0
Exemple de FL :
es vv
- Vsat
0 T
vs = ve
temps
+ Vsat
+
-
ve
vs
~
e-
e+
AOI en CR
1e
s
v
vG
UN
IVER
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HA
SSA
N II
CA
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CA
– F
AC
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E D
ES S
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ES E
T T
ECH
NIQ
UES
MO
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MM
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D
EUST
- M
IP –
MO
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E 1
41
– C
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UIT
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LEC
TRIQ
UES
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CTR
ON
IQU
ES
PR
. A
. BA
GH
DA
D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 23
Il existe 4 façons de faire fonctionner l’ AO :
AO en boucle ouverte AO en réaction négative
(ou en rétroaction) ( ou en contre réaction)
AO en réaction positive (ou en réaction) AO en réaction positive et négative
discussion
ε = 0
ε = 0
ou
ε ≠ 0 ε ≠ 0
ε ≠ 0 FNL
FNL
FL
FL
ou FNL
CR (ou RN) ====> ε = 0 <====> e+ = e- alors FL
9°) Différents modes de fonctionnement
+ -
+ -
+ -
+ -
UN
IVER
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HA
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N II
CA
SAB
LAN
CA
– F
AC
ULT
E D
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NC
ES E
T T
ECH
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MO
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MM
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EUST
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MO
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41
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UIT
S É
LEC
TRIQ
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CTR
ON
IQU
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. BA
GH
DA
D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 24
Boucle ouverte ou Réaction positive :
Fonctionnement en régime saturé
(ou non linéaire)
Réaction négative (ou contre réaction) :
Fonctionnement en régime linéaire
ε = 0 e+ = e- et -Vsat < s < +Vsat
si e+ > e- alors s = + Vsat
si e+ < e- alors s = - Vsat
La contre réaction : diminue le gain en tension et augmente la bande passante
+ -
+ -
+ -
UN
IVER
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N II
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SAB
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– F
AC
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ES S
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ES E
T T
ECH
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MO
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MM
EDIA
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EUST
- M
IP –
MO
DU
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E 1
41
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UIT
S É
LEC
TRIQ
UES
ET
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CTR
ON
IQU
ES
PR
. A
. BA
GH
DA
D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 25
Résistance d’entrée infinie (AOI) ====> I+ = I- = 0
Contre réaction ====> ε = 0 <====> e+ = e-
Circuit de contre réaction peut être un fil, un dipôle ou un quadripôle
10°) Hypothèses simplificatrices pour un fonctionnement en linéaire
+ -
D
+ -
Q
+ -
UN
IVER
SITE
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N II
CA
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CIE
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ES E
T T
ECH
NIQ
UES
MO
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MM
EDIA
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EUST
- M
IP –
MO
DU
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E 1
41
– C
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UIT
S É
LEC
TRIQ
UES
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CTR
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IQU
ES
PR
. A
. BA
GH
DA
D -
DEP
AR
TEM
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GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 26
UN
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N II
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– F
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T T
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UES
MO
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MM
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EUST
- M
IP –
MO
DU
LE :
E 1
41
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UIT
S É
LEC
TRIQ
UES
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CTR
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IQU
ES
PR
. A
. BA
GH
DA
D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 27
1°) Montages fondamentaux
2°) Montages particuliers
UN
IVER
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SSA
N II
CA
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CA
– F
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EUST
- M
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MO
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LE :
E 1
41
– C
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UIT
S É
LEC
TRIQ
UES
ET
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CTR
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ES
PR
. A
. BA
GH
DA
D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 28
Montage suiveur
1°) Montages fondamentaux
1e
ses
v
vGvv
+
-
ve
vs
~
e-
e+
eeCR
IIAOI
0
0
UN
IVER
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N II
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CA
– F
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ES S
CIE
NC
ES E
T T
ECH
NIQ
UES
MO
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MM
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D
EUST
- M
IP –
MO
DU
LE :
E 1
41
– C
IRC
UIT
S É
LEC
TRIQ
UES
ET
ÉLE
CTR
ON
IQU
ES
PR
. A
. BA
GH
DA
D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 29
Montage amplificateur inverseur
1
2
1
2
R
R
v
vGv
R
Rv
e
ses
+
-
R2
ve
R1
vs ~
e-
e+
eeCR
IIAOI
0
0
UN
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N II
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CA
– F
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ES E
T T
ECH
NIQ
UES
MO
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MM
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EUST
- M
IP –
MO
DU
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E 1
41
– C
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UIT
S É
LEC
TRIQ
UES
ET
ÉLE
CTR
ON
IQU
ES
PR
. A
. BA
GH
DA
D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 30
+
-
R0
ve
R0
vs ~
e-
e+
Montage inverseur
10
0 e
sees
v
vGvv
R
Rv
eeCR
IIAOI
0
0
UN
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N II
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– F
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MO
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MM
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EUST
- M
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MO
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E 1
41
– C
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S É
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. A
. BA
GH
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D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 31
Montage amplificateur non inverseur
1
2
1
2 11R
R
v
vGv
R
Rv
e
ses
+
-
R2
ve
R1
vs
~
e-
e+
eeCR
IIAOI
0
0
UN
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CA
– F
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ES E
T T
ECH
NIQ
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MO
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MM
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EUST
- M
IP –
MO
DU
LE :
E 1
41
– C
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UIT
S É
LEC
TRIQ
UES
ET
ÉLE
CTR
ON
IQU
ES
PR
. A
. BA
GH
DA
D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 32
Montage sommateur
21 vvvs
+
-
R3
v1
R1
vs ~
v2
R2
~
e-
e+
eeCR
IIAOI
0
0
2
2
31
1
3 vR
Rv
R
Rvs
0321 RRRRSi
UN
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N II
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CA
– F
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NC
ES E
T T
ECH
NIQ
UES
MO
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MM
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D
EUST
- M
IP –
MO
DU
LE :
E 1
41
– C
IRC
UIT
S É
LEC
TRIQ
UES
ET
ÉLE
CTR
ON
IQU
ES
PR
. A
. BA
GH
DA
D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 33
Montage sommateur non inverseur
+
-
R4
R2
R3
R1
vs
e-
e+
v2 ~
v1 ~
21 VVVs
2
1
31
1
4
43
21 vR
Rv
R
R
RR
RRvs
04321 RRRRRSi
eeCR
IIAOI
0
0
UN
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CA
SAB
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CA
– F
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ECH
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UES
MO
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MM
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D
EUST
- M
IP –
MO
DU
LE :
E 1
41
– C
IRC
UIT
S É
LEC
TRIQ
UES
ET
ÉLE
CTR
ON
IQU
ES
PR
. A
. BA
GH
DA
D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 34
Montage soustracteur
+
-
R3
R4
R2
R1
vs
e-
e+
v2 ~
v1 ~
12
1
2 vvR
Rvs
04321 RRRRRSi 4231 RRetRRSi
12 vvvs
1
1
22
43
21
1
4 vR
Rv
RR
RR
R
Rvs
eeCR
IIAOI
0
0
UN
IVER
SITE
HA
SSA
N II
CA
SAB
LAN
CA
– F
AC
ULT
E D
ES S
CIE
NC
ES E
T T
ECH
NIQ
UES
MO
HA
MM
EDIA
D
EUST
- M
IP –
MO
DU
LE :
E 1
41
– C
IRC
UIT
S É
LEC
TRIQ
UES
ET
ÉLE
CTR
ON
IQU
ES
PR
. A
. BA
GH
DA
D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 35
Montage intégrateur
dttvRC
tv es
1
+
-
C
ve
R
vs ~
e-
e+
eeCR
IIAOI
0
0
UN
IVER
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HA
SSA
N II
CA
SAB
LAN
CA
– F
AC
ULT
E D
ES S
CIE
NC
ES E
T T
ECH
NIQ
UES
MO
HA
MM
EDIA
D
EUST
- M
IP –
MO
DU
LE :
E 1
41
– C
IRC
UIT
S É
LEC
TRIQ
UES
ET
ÉLE
CTR
ON
IQU
ES
PR
. A
. BA
GH
DA
D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 36
Montage dérivateur
dt
dVRCV e
s
+
-
R
ve
C
vs ~
e-
e+
eeCR
IIAOI
0
0
UN
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N II
CA
SAB
LAN
CA
– F
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ULT
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ES S
CIE
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ES E
T T
ECH
NIQ
UES
MO
HA
MM
EDIA
D
EUST
- M
IP –
MO
DU
LE :
E 1
41
– C
IRC
UIT
S É
LEC
TRIQ
UES
ET
ÉLE
CTR
ON
IQU
ES
PR
. A
. BA
GH
DA
D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 37
Montage logarithmique
+
-
ve
R
vs
V
i
diode
e-
e+
eeCR
IIAOI
0
0
0
lnRI
vuv e
Ts
UN
IVER
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HA
SSA
N II
CA
SAB
LAN
CA
– F
AC
ULT
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ES S
CIE
NC
ES E
T T
ECH
NIQ
UES
MO
HA
MM
EDIA
D
EUST
- M
IP –
MO
DU
LE :
E 1
41
– C
IRC
UIT
S É
LEC
TRIQ
UES
ET
ÉLE
CTR
ON
IQU
ES
PR
. A
. BA
GH
DA
D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 38
Vd
Id
diode Rappel :
→ La tension uT est correspond à la tension thermodynamique, d'une valeur de 25 mV environ à l’ambiance. → Is correspond au courant de saturation de la diode D ou courant inverse, de qcq nA.
1T
d
u
V
satd eII
→ Le courant à traversant la diode est donné par la relation :
s
dTd
u
V
sdI
IuValorseIIsidirectEn T
d
ln:
UN
IVER
SITE
HA
SSA
N II
CA
SAB
LAN
CA
– F
AC
ULT
E D
ES S
CIE
NC
ES E
T T
ECH
NIQ
UES
MO
HA
MM
EDIA
D
EUST
- M
IP –
MO
DU
LE :
E 1
41
– C
IRC
UIT
S É
LEC
TRIQ
UES
ET
ÉLE
CTR
ON
IQU
ES
PR
. A
. BA
GH
DA
D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 39
Montage anti-logarithmique (ou exponentiel)
diode
+
-
ve
R
vs
V
i
e-
e+
eeCR
IIAOI
0
0
T
ess
u
vIRv exp
UN
IVER
SITE
HA
SSA
N II
CA
SAB
LAN
CA
– F
AC
ULT
E D
ES S
CIE
NC
ES E
T T
ECH
NIQ
UES
MO
HA
MM
EDIA
D
EUST
- M
IP –
MO
DU
LE :
E 1
41
– C
IRC
UIT
S É
LEC
TRIQ
UES
ET
ÉLE
CTR
ON
IQU
ES
PR
. A
. BA
GH
DA
D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 40
+
-
R
R vs
v2
C
v1
C
e+
e-
Montage intégrateur différentiel
dttvtvRC
tvs 12
1
eeCR
IIAOI
0
0
UN
IVER
SITE
HA
SSA
N II
CA
SAB
LAN
CA
– F
AC
ULT
E D
ES S
CIE
NC
ES E
T T
ECH
NIQ
UES
MO
HA
MM
EDIA
D
EUST
- M
IP –
MO
DU
LE :
E 1
41
– C
IRC
UIT
S É
LEC
TRIQ
UES
ET
ÉLE
CTR
ON
IQU
ES
PR
. A
. BA
GH
DA
D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
2°) Montages particuliers
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 41
gs iRv
Source de tension simple
~ vs
-
+ R
viiRv
eeete
sggs
00
vs
R
ig +
- e-
~ e+
eeCR
IIAOI
0
0
f.e.m
UN
IVER
SITE
HA
SSA
N II
CA
SAB
LAN
CA
– F
AC
ULT
E D
ES S
CIE
NC
ES E
T T
ECH
NIQ
UES
MO
HA
MM
EDIA
D
EUST
- M
IP –
MO
DU
LE :
E 1
41
– C
IRC
UIT
S É
LEC
TRIQ
UES
ET
ÉLE
CTR
ON
IQU
ES
PR
. A
. BA
GH
DA
D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 42
Source de tension amélioré
vs’
R1
ig +
-
vs
R3
+
- R2
eeCR
IIAOI
0
0
eeCR
IIAOI
0
0
gs iR
RRv
2
31
~ vs
+
-
f.e.m
UN
IVER
SITE
HA
SSA
N II
CA
SAB
LAN
CA
– F
AC
ULT
E D
ES S
CIE
NC
ES E
T T
ECH
NIQ
UES
MO
HA
MM
EDIA
D
EUST
- M
IP –
MO
DU
LE :
E 1
41
– C
IRC
UIT
S É
LEC
TRIQ
UES
ET
ÉLE
CTR
ON
IQU
ES
PR
. A
. BA
GH
DA
D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 43
+
- R1
R2
R4 R3
vs
eg r
i
Source de courant
→ Fournit un courant i indépendant du circuit de charge (d'impédance r ici)
→ Montage nommé source de Howland
eeCR
IIAOI
0
0
3
3241R
eiRRRRSi
g
~ i
c.e.m
UN
IVER
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SSA
N II
CA
SAB
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CA
– F
AC
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CIE
NC
ES E
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ECH
NIQ
UES
MO
HA
MM
EDIA
D
EUST
- M
IP –
MO
DU
LE :
E 1
41
– C
IRC
UIT
S É
LEC
TRIQ
UES
ET
ÉLE
CTR
ON
IQU
ES
PR
. A
. BA
GH
DA
D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 44
vs
v1 R2
RG
+
-
+
- R1
v2
+ -
R0 R0
R0 R0
S1
S2
Amplificateur d'instrumentation
eeCR
IIAOI
0
0
21121 vv
R
RRv
G
s
213 vvvs
021 RRRRSi G
UN
IVER
SITE
HA
SSA
N II
CA
SAB
LAN
CA
– F
AC
ULT
E D
ES S
CIE
NC
ES E
T T
ECH
NIQ
UES
MO
HA
MM
EDIA
D
EUST
- M
IP –
MO
DU
LE :
E 1
41
– C
IRC
UIT
S É
LEC
TRIQ
UES
ET
ÉLE
CTR
ON
IQU
ES
PR
. A
. BA
GH
DA
D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 45
UN
IVER
SITE
HA
SSA
N II
CA
SAB
LAN
CA
– F
AC
ULT
E D
ES S
CIE
NC
ES E
T T
ECH
NIQ
UES
MO
HA
MM
EDIA
D
EUST
- M
IP –
MO
DU
LE :
E 1
41
– C
IRC
UIT
S É
LEC
TRIQ
UES
ET
ÉLE
CTR
ON
IQU
ES
PR
. A
. BA
GH
DA
D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 46
1°) Filtre actif passe bas de 1er ordre
2°) Filtre actif passe haut de 1er ordre
UN
IVER
SITE
HA
SSA
N II
CA
SAB
LAN
CA
– F
AC
ULT
E D
ES S
CIE
NC
ES E
T T
ECH
NIQ
UES
MO
HA
MM
EDIA
D
EUST
- M
IP –
MO
DU
LE :
E 1
41
– C
IRC
UIT
S É
LEC
TRIQ
UES
ET
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CTR
ON
IQU
ES
PR
. A
. BA
GH
DA
D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 47
CRjR
RH
21
2
1
1
→ Gain d’un amplificateur inverseur :
→ Fréquence de coupure :
1
20
R
RAH
CRfC
22
1
C
j
HH
1
0Configuration n°1
1°) Filtre actif passe bas de 1er ordre
Filtre à contre
réaction simple
ve vs
+
-
R1 C
R2
eeCR
IIAOI
0
0
UN
IVER
SITE
HA
SSA
N II
CA
SAB
LAN
CA
– F
AC
ULT
E D
ES S
CIE
NC
ES E
T T
ECH
NIQ
UES
MO
HA
MM
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D
EUST
- M
IP –
MO
DU
LE :
E 1
41
– C
IRC
UIT
S É
LEC
TRIQ
UES
ET
ÉLE
CTR
ON
IQU
ES
PR
. A
. BA
GH
DA
D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 48
CRjR
RH
1
11
1
2
→ Gain d’un amplificateur non inverseur :
→ Fréquence de coupure :
1
20 1
R
RAH
CRfC
2
1
C
j
HH
1
0Configuration n°2
ve vs
+
-
C R2
R1
R
Filtre à contre
réaction simple
eeCR
IIAOI
0
0
UN
IVER
SITE
HA
SSA
N II
CA
SAB
LAN
CA
– F
AC
ULT
E D
ES S
CIE
NC
ES E
T T
ECH
NIQ
UES
MO
HA
MM
EDIA
D
EUST
- M
IP –
MO
DU
LE :
E 1
41
– C
IRC
UIT
S É
LEC
TRIQ
UES
ET
ÉLE
CTR
ON
IQU
ES
PR
. A
. BA
GH
DA
D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 49
CRj
CRj
R
RH
1
1
1
2
1→ Gain d’un amplificateur inverseur :
→ Fréquence de coupure si :
1
20
R
RH
CRfC
12
1
C
C
j
j
HH
10
Configuration n°1
2°) Filtre actif passe haut de 1er ordre
ve vs
+
-
C
R2
R1
Filtre à contre
réaction simple
eeCR
IIAOI
0
0
UN
IVER
SITE
HA
SSA
N II
CA
SAB
LAN
CA
– F
AC
ULT
E D
ES S
CIE
NC
ES E
T T
ECH
NIQ
UES
MO
HA
MM
EDIA
D
EUST
- M
IP –
MO
DU
LE :
E 1
41
– C
IRC
UIT
S É
LEC
TRIQ
UES
ET
ÉLE
CTR
ON
IQU
ES
PR
. A
. BA
GH
DA
D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 50
CRj
CRj
R
RH
11
1
2
→ Gain d’un amplificateur non inverseur :
→ Fréquence de coupure :
1
20 1
R
RHA
CRfC
2
1
C
C
j
j
HH
10
Configuration n°2
ve vs
+
- C
R2
R1
R
Filtre à contre
réaction simple
eeCR
IIAOI
0
0
UN
IVER
SITE
HA
SSA
N II
CA
SAB
LAN
CA
– F
AC
ULT
E D
ES S
CIE
NC
ES E
T T
ECH
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UES
MO
HA
MM
EDIA
D
EUST
- M
IP –
MO
DU
LE :
E 1
41
– C
IRC
UIT
S É
LEC
TRIQ
UES
ET
ÉLE
CTR
ON
IQU
ES
PR
. A
. BA
GH
DA
D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 51
UN
IVER
SITE
HA
SSA
N II
CA
SAB
LAN
CA
– F
AC
ULT
E D
ES S
CIE
NC
ES E
T T
ECH
NIQ
UES
MO
HA
MM
EDIA
D
EUST
- M
IP –
MO
DU
LE :
E 1
41
– C
IRC
UIT
S É
LEC
TRIQ
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ES
PR
. A
. BA
GH
DA
D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 52
1°) Comparateurs simples de valeur relative
2°) Comparateurs simples de valeur absolue
3°) Comparateurs à seuils ou à hystéresis (ou triggers de Scmitt)
UN
IVER
SITE
HA
SSA
N II
CA
SAB
LAN
CA
– F
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ES S
CIE
NC
ES E
T T
ECH
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MO
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MM
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EUST
- M
IP –
MO
DU
LE :
E 1
41
– C
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S É
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TRIQ
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ON
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PR
. A
. BA
GH
DA
D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 53
On distingue deux types de montages comparateurs selon les positions respectives
de Ve(t) et VREF = E0 sur les entrées du comparateur.
Montages comparateurs simples de valeur relative
E0
Ve Vs
+
_
+ _ ~ Vs
+
_
+ _ ~
Comparateur
non inverseur
Comparateur
inverseur
AOI en BO AOI en BO
En permutant Ve(t) et V0, on obtient
E0 = 0 E0 > 0 E0 < 0
E0
Ve
1°) Comparateurs simples de valeur relative
Sortie
binaire
Sortie
binaire
UN
IVER
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HA
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N II
CA
SAB
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CA
– F
AC
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NC
ES E
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MO
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MM
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EUST
- M
IP –
MO
DU
LE :
E 1
41
– C
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TRIQ
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ON
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PR
. A
. BA
GH
DA
D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 54
Montage comparateur simple non inverseur de valeur relative :
Montage n°1
Montage n°2
+
Montage n°3
+
Ve Vs
+
_
~ VREF = E0 = 0
E0
Ve Vs
+
_
+ _ ~
E0 > 0
E0
Ve Vs
_
+
_ ~
E0 < 0
+
UN
IVER
SITE
HA
SSA
N II
CA
SAB
LAN
CA
– F
AC
ULT
E D
ES S
CIE
NC
ES E
T T
ECH
NIQ
UES
MO
HA
MM
EDIA
D
EUST
- M
IP –
MO
DU
LE :
E 1
41
– C
IRC
UIT
S É
LEC
TRIQ
UES
ET
ÉLE
CTR
ON
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ES
PR
. A
. BA
GH
DA
D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 55
t
Vs
+ Vemax Ve
t
E0
- Vemax
+ Vsat
VVsVee
VVsVee
sate
sate
00
00
seuil
Montage n°1
tbasculemendeseuil
Ve
:0
00
Chronogrammes
- Vsat
Si Ve = E0 = 0 basculement
+
e-
Ve Vs
+
_ e+
~ VREF = E0 = 0 E0
Ve > 0
Ve < 0
UN
IVER
SITE
HA
SSA
N II
CA
SAB
LAN
CA
– F
AC
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E D
ES S
CIE
NC
ES E
T T
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MO
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MM
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D
EUST
- M
IP –
MO
DU
LE :
E 1
41
– C
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UIT
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TRIQ
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GH
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D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 56
t
Vs
+ Vemax
Ve
t
E0
- Vemax
Ve > E0
Ve < E0
Si Ve = E0 basculement
VVsVVee
VVsVVee
sate
sate
0
0
0
0
seuil
tbasculemendeseuilV
VVe
:
0
0
0
Montage n°2
Chronogrammes
E0
Ve Vs
+
_
+ _ ~
E0 > 0
+ Vsat
- Vsat
UN
IVER
SITE
HA
SSA
N II
CA
SAB
LAN
CA
– F
AC
ULT
E D
ES S
CIE
NC
ES E
T T
ECH
NIQ
UES
MO
HA
MM
EDIA
D
EUST
- M
IP –
MO
DU
LE :
E 1
41
– C
IRC
UIT
S É
LEC
TRIQ
UES
ET
ÉLE
CTR
ON
IQU
ES
PR
. A
. BA
GH
DA
D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 57
Fonctions de transfert des comparateurs simples non inverseurs
Vs
-Vsat
+Vsat
0
Ve
satse
satse
eREFe
VVEV
VVEV
EVVVee
0
0
0
0
0
Vs
-Vsat
+Vsat
0
Ve
00 EVREF
0 0
0 0
00 EVREF
+
e-
Ve Vs
+
_ e+
~ VREF = E0 = 0 E0 E0
Ve Vs
+
_
+ _ ~
E0 > 0
UN
IVER
SITE
HA
SSA
N II
CA
SAB
LAN
CA
– F
AC
ULT
E D
ES S
CIE
NC
ES E
T T
ECH
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MO
HA
MM
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D
EUST
- M
IP –
MO
DU
LE :
E 1
41
– C
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UIT
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ON
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ES
PR
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D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 58
On distingue deux types de montages comparateurs selon les positions respectives
de Ve(t) et VREF = E0 sur les entrées du comparateur.
Montages comparateurs simples de valeur absolue
E0 = 0 E0 > 0 E0 < 0
E0
Ve
Vs
+ _ +
_ ~
R1
R2
e-
e+
Comparateur
non inverseur AOI en BO
Sortie
binaire
E0
Ve
Vs
+
_
+ _ ~
R1
R2
e-
e+
Comparateur
inverseur AOI en BO
Sortie
binaire
2°) Comparateurs simples de valeur absolue
UN
IVER
SITE
HA
SSA
N II
CA
SAB
LAN
CA
– F
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E D
ES S
CIE
NC
ES E
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MO
HA
MM
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EUST
- M
IP –
MO
DU
LE :
E 1
41
– C
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S É
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TRIQ
UES
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ON
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. A
. BA
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DA
D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 59
Montage n°1
VREF = V0 = 0 E0
Ve
Vs
+ _
~
R1
R2
e-
e+
Montage n°2
V0 > 0 VE0
Ve
Vs
+ _ +
_ ~
R1
R2
e-
e+
V0 < 0
Montage n°3
E0
Ve
Vs
+ _
+
_ ~
R1
R2
e-
e+
Montage comparateur simple non inverseur de valeur absolue :
UN
IVER
SITE
HA
SSA
N II
CA
SAB
LAN
CA
– F
AC
ULT
E D
ES S
CIE
NC
ES E
T T
ECH
NIQ
UES
MO
HA
MM
EDIA
D
EUST
- M
IP –
MO
DU
LE :
E 1
41
– C
IRC
UIT
S É
LEC
TRIQ
UES
ET
ÉLE
CTR
ON
IQU
ES
PR
. A
. BA
GH
DA
D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 60
Montage n°1
VREF = E0 = 0 E0
Ve
Vs
+ _
~
R1
R2
e-
e+
0:00
0:0
21
2
21
2
seuilee
e
VSeuilVRR
RV
eesitBasculemenRR
RVeete
seuileesatS
seuileesatS
VVVeesiVV
VVVeesiVV
0
0
0eVsitBasculemen 0seuilV
UN
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SITE
HA
SSA
N II
CA
SAB
LAN
CA
– F
AC
ULT
E D
ES S
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NC
ES E
T T
ECH
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UES
MO
HA
MM
EDIA
D
EUST
- M
IP –
MO
DU
LE :
E 1
41
– C
IRC
UIT
S É
LEC
TRIQ
UES
ET
ÉLE
CTR
ON
IQU
ES
PR
. A
. BA
GH
DA
D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 61
Montage n°2
E0 > 0 E0
Ve
Vs
+ _ +
_ ~
R1
R2
e-
e+
0
2
10
2
1
21
2
21
10
21
2
21
10
:0
0:0
ER
RVSeuilE
R
RV
RR
RV
RR
RE
eesitBasculemenRR
RV
RR
REeete
seuilee
e
seuileesatS
seuileesatS
VER
RV
RR
RV
RR
REeesiVV
VER
RV
RR
RV
RR
REeesiVV
0
2
1
21
2
21
10
0
2
1
21
2
21
10
0
0
0
2
1 ER
RVsitBasculemen e
0seuilV
UN
IVER
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HA
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N II
CA
SAB
LAN
CA
– F
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E D
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CIE
NC
ES E
T T
ECH
NIQ
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MO
HA
MM
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D
EUST
- M
IP –
MO
DU
LE :
E 1
41
– C
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LEC
TRIQ
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CTR
ON
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PR
. A
. BA
GH
DA
D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 62
+ Vemax
Ve
t
- Vemax
Ve >Vseuil
Ve < Vseuil
Si Ve = Vseuil basculement
Vseuil
t
Vs
0
2
1 VR
RVVsitBasculemen seuile
seuilesatS
seuilesatS
VVR
RVsiVV
VVR
RVsiVV
0
2
1
0
2
1
Chronogrammes
+ Vsat
- Vsat
UN
IVER
SITE
HA
SSA
N II
CA
SAB
LAN
CA
– F
AC
ULT
E D
ES S
CIE
NC
ES E
T T
ECH
NIQ
UES
MO
HA
MM
EDIA
D
EUST
- M
IP –
MO
DU
LE :
E 1
41
– C
IRC
UIT
S É
LEC
TRIQ
UES
ET
ÉLE
CTR
ON
IQU
ES
PR
. A
. BA
GH
DA
D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 63
seuilesatS
seuilesatS
VER
RVsiVV
VER
RVsiVV
0
2
1
0
2
1
Vs
-Vsat
+Vsat
0seuilV
Ve > Vseuil
Ve < Vseuil
Ve
Fonction de transfert
0
2
1 ER
RVVsitBasculemen seuile
UN
IVER
SITE
HA
SSA
N II
CA
SAB
LAN
CA
– F
AC
ULT
E D
ES S
CIE
NC
ES E
T T
ECH
NIQ
UES
MO
HA
MM
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D
EUST
- M
IP –
MO
DU
LE :
E 1
41
– C
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UIT
S É
LEC
TRIQ
UES
ET
ÉLE
CTR
ON
IQU
ES
PR
. A
. BA
GH
DA
D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 64
3°) Comparateurs à seuils ou à hystérésis (Trigger de Schmitt)
e2
e1 Vs
+
_
+
_
R2
R1
~ e1
e2 Vs
+
_ + _
R2
R1
~
Dans le cas général, les entrées e1 et e2 du montage reçoivent d’une part le signal à
comparer ve(t) et d’autre part une tension de référence VREF = E0
Trigger
inverseur Trigger non
inverseur
UN
IVER
SITE
HA
SSA
N II
CA
SAB
LAN
CA
– F
AC
ULT
E D
ES S
CIE
NC
ES E
T T
ECH
NIQ
UES
MO
HA
MM
EDIA
D
EUST
- M
IP –
MO
DU
LE :
E 1
41
– C
IRC
UIT
S É
LEC
TRIQ
UES
ET
ÉLE
CTR
ON
IQU
ES
PR
. A
. BA
GH
DA
D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 65
Montage comparateur à hystérésis non inverseur (Trigger non inverseur) :
E0
Vs
+
_
R2
R1
~
E0
Vs
+
_
+ _
R2
R1
~ E0
Vs
+
_
+
_
R2
R1
~
Montage n°1
VREF = E0 = 0
Montage n°2
E0 > 0
Montage n°3
E0 < 0
Ve
Ve Ve
UN
IVER
SITE
HA
SSA
N II
CA
SAB
LAN
CA
– F
AC
ULT
E D
ES S
CIE
NC
ES E
T T
ECH
NIQ
UES
MO
HA
MM
EDIA
D
EUST
- M
IP –
MO
DU
LE :
E 1
41
– C
IRC
UIT
S É
LEC
TRIQ
UES
ET
ÉLE
CTR
ON
IQU
ES
PR
. A
. BA
GH
DA
D -
DEP
AR
TEM
ENT
GEN
IE E
LEC
TRIQ
UE
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 66
Montage n°1
VREF = E0 = 0 E0
Ve Vs
+
_
R2
R1
~
SatSSatBH
SeeS
es
VVcarVR
RVVseuilsLes
VR
RV
RR
RV
RR
RV
eesitBasculemenEeetRR
RV
RR
RVe
2
1/2/1
2
1
21
2
21
1
0
21
2
21
1
:
0
0
VH et VB (seuils de commutation de la sortie) sont les valeurs de la tension Ve qui
font changer la valeur de la sortie Vs
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FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 67
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FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 68
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VseuilVàVdepasseVcycle
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Montage n°2
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1
:
VH et VB (seuils de commutation de la sortie) sont les valeurs de la tension Ve qui
font changer la valeur de la sortie Vs
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FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 71
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VseuilVàVdepasseVcycle
VseuilVàVdepasseVcycle
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Vs
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+ Vsat
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Cycle d’hystérésis : Vs = f(Ve)
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Fin du chapitre VIII
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Fin de l’exposé de cours
Module : E141
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