17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGES 1 GPA667 CONCEPTION ET SIMULATION DE CIRCUITS ÉLECTRONIQUES AMPLIFICATEURS EN CASCADE OU MULTIÉTAGES

17 novembre 2013AMPLIFICATEURS ÉTAGES1

GPA667GPA667

CONCEPTION ET SIMULATION

DE CIRCUITS ÉLECTRONIQUES

AMPLIFICATEURS EN CASCADEOU MULTIÉTAGES

17 novembre 2013AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE2

AMPLIFICATEURSAMPLIFICATEURSEN CASCADE OU MULTIÉTAGESEN CASCADE OU MULTIÉTAGES

Bloc amplificateurEffet de RS (source) et RL (charge) Topologies d’amplificateurs BJT et FETModèles et paramètres BJT et FETMise en cascade des étagesNotion de décibel (dB)


BLOC AMPLIFICATEURBLOC AMPLIFICATEUR






RÉSISTANCE DE CHARGE RRÉSISTANCE DE CHARGE RLL


RÉSISTANCE DE CHARGE RRÉSISTANCE DE CHARGE RLL


RÉSISTANCE DE SOURCE RRÉSISTANCE DE SOURCE RSS


RÉSISTANCE DE SOURCE RRÉSISTANCE DE SOURCE RSS


EFFET COMBINÉ DE REFFET COMBINÉ DE RSS et R et RLL


EFFET COMBINÉ DE REFFET COMBINÉ DE RSS et R et RLL


TOPOLOGIESTOPOLOGIES

Les paramètres AV, Zi et Zo pour les différentes topologies à BJT et FET sont disponibles au Tableau 5.1 du chapitre 5, Two-Port System Approach (« Electronic Devices and Circuit Theory », Boylestad e& Nashelski, édition 12)

Nous ferons simplementun rappel des paramètres qui figurent dans ce tableau et qui ont été vu au cours GPA325


MODÈLE TRANSISTOR BJT MODÈLE TRANSISTOR BJT Emetteur CommunEmetteur Commun

hie ≈ βre



ca ca = h= hfefe ≈ ≈ cccc



On peut négliger ro si ro > 10 RC où RC est la résistance dans le collecteur


Amplificateur BJTAmplificateur BJTémetteur commun, pol. baseémetteur commun, pol. base


Amplificateur BJTAmplificateur BJTcollecteur commun, pol. diviseurcollecteur commun, pol. diviseur


Amplificateur BJTAmplificateur BJTémetteur commun,émetteur commun,

pol. div., avec contre réaction émetteurpol. div., avec contre réaction émetteur



pol. diviseur, avec découplagepol. diviseur, avec découplage



pol. diviseur, avec découplage et pol. diviseur, avec découplage et contre réaction émetteurcontre réaction émetteur


Exemple Exemple (Boylestad & Nashelski)(Boylestad & Nashelski)

Calculer le gain AVs de l’amplificateur à transistor suivant


Exemple Exemple (Boylestad & Nashelski)(Boylestad & Nashelski) Zi = RB // βre

IB = (12-0.7)/470K IB = 24 uA

IE = 100 x IB = 2.4 mA

βre = 26 mV/IB = 1.08K

Zi = 470K // 1.08K = 1.07K

Zo = 3 K

AV = V0/Vi = -(RL//RC)/re

AV = -170

AVS = 1.07K/(0.3K + 1.07K)*AV

AVS = -133


TRANSISTORS JFETTRANSISTORS JFET

ÉQUATION DU JFET ou

ÉQUATION DE SHOCKLEY


COUBE DE TRANSFERT JFETCOUBE DE TRANSFERT JFET

ÉQUATION DE LA COURBE DE TRANSFERT IDS vs VGS


COURBE DE TRANSFERT JFETCOURBE DE TRANSFERT JFETPOINTS PARTICULIERSPOINTS PARTICULIERS


COURBES DE TRANSFERTCOURBES DE TRANSFERTET DE SORTIE, JFET NET DE SORTIE, JFET N

TRANSFERT SORTIE


MODÈLE DE JFETMODÈLE DE JFET


RELATIONS IMPORTANTESRELATIONS IMPORTANTES


MODÈLE FETMODÈLE FET


MODÈLE JFET gMODÈLE JFET gmm


MODÈLE JFET gMODÈLE JFET gmm


MODÈLE JFET rMODÈLE JFET rdd


Amplificateur FETAmplificateur FETsource commune,source commune,

pol. auto, avec découplagepol. auto, avec découplage


Amplificateur FETAmplificateur FETsource commune,source commune,

pol. auto, avec contre réactionpol. auto, avec contre réaction


Amplificateur FETAmplificateur FETdrain commun,drain commun,

pol. auto (Rpol. auto (RDD = 0) = 0)


MISE EN CASCADEMISE EN CASCADEAMPLIFICATEUR MULTIÉTAGESAMPLIFICATEUR MULTIÉTAGES


Exemple 5.14 Exemple 5.14 (Boylestad & Nashelski)(Boylestad & Nashelski)

Figure 5.68 Exemple 5.14



Le gain en charge du premier étage émetteur commun est :



Le gain en charge du deuxième étage base commune est :



Le gain total AVT des deux étages en cascade est :

Le gain total des deux étages en cascade incluant la résistance de source Rs est :


GAIN DE TENSION :GAIN DE TENSION :SOMME DES GAINS EN dBSOMME DES GAINS EN dB


RAPPORT DE PUISSANCE : RAPPORT DE PUISSANCE : BELBEL


DÉCIBELDÉCIBEL


RAPPORT DE TENSION :RAPPORT DE TENSION :DÉCIBELDÉCIBEL

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