Commande d’actionneurs à l’aide d’un microprocesseur

4 Commande des transistors

Christian Koechli

Objectifs du cours

• Fonctionnement d’un Mosfet de puissance

• Problématique du Low-Side

• Problématique du High-Side– Découplage– Bootstrap– Utilisation de P-MOS

Structure

Principe

Enclenchement

Enclenchement 2

Effets des inductances parasites

Déclenchement

Précautions

• Surtension GS (souvent 20V max)

• Pics de courant

• Phénomènes transitoires DS

• Limitations du pouvoir de coupure de la diode de roue libre

Pics de tensions sur la grille

Changements DS

Limitation du pouvoir de coupure de la diode

Limitation du pouvoir de coupure de la diode

Les 10 choses à faire ou à ne pas faire avec les MOS de puissance

1. Attention à la manipulation2. Attention aux pics de VGS3. Attention aux pics de tension sur le drain ou la

source dus à la commutation 4. Ne pas dépasser la valeur de crête du courant5. Rester dans les limites thermiques6. Attention au layout7. Attention aux performances de la diode de

roue libre8. Attention en comparant les performances

(courant) de différents MOSFETs

Calcul des pertes

• Pertes en conduction:Pcd=RDSon I2 tON

• Pertes en commutation:

Pcom=f dtiu DSDS

Caractéristiques de l’étage « driver »

• Limiter les pertes de commutation– Source de courant idéale pour une

commutation rapide

• Éviter les pics de tension– Attention à la commutation rapide.– Éviter les inductances de fuites

(Condensateur et diode de roue libre le plus proche du transistor)

Transistor Low Side

Transistor High Side

Découplage

UDC (24V)

TLP250

Vcc (12V)

RDSP

Rmesure_courant

(0V)

Alimentation unipolaire

UDC (24V)

Level shifter

Vcc (12V)

RDSP

Décalage de niveau (+bootstrap)

Utilisation d’un transistor à canal P

Schéma Labo