L'ensemble des matrices de repartition n'est ainsi calculequ'une fois.

Apres repartition sur les noeuds, les impulsions sont misesen memoire pendant le nombre d'iterations convenable corre-

Fig. 3 Geometrie et maillage de la structure testee

Tableau 1 FREQUENCES DE RESONANCE OBTENUEPAR LA METHODE TLM POUR 1000ITERATIONS

Geometrie de la caviteet maillage Frequence Methodeer = 2-22 theorique TLM

a = 20 mm b = 10 mmC = 15 mm

S— 1 mm d = 4 mmA/ = 0-5 mm

Nx = 6 Ny = 3 Nz = 5Autour de la fente AL = AL = 1

GHz

10-77

GHz

1014

Meme structure sauf:N = 1v autour de la fente

10-77 1002

a = 9-8 mm b = 6-2 mmc = 6-4 mm

S — 0-5 mm d = 1 mmA/ = 0-2 mm

AL = AL = 1 autour de la fenteA >

23-77 2205

Meme structure sauf:d = 0-6 mm

22-86 21-3

Les frequences theoriques sont obtenues par la methode spectrale

spondant a Nx, Ny et AL avant d'etre appliquees aux noeudssuivants. La methode a ete testee sur des cavites rectangulaireschargees par des fin-lines telles que celle representee Fig. 3. Lafin-line concentre l'energie dans la fente et les gradients dechamps sont importants au voisinage de celle-ci. Un maillagefin est done utilise a cet endroit, tandis qu'un maillage beau-coup plus large est utilise ailleurs.

Cette structure est extremement sensible en maillage utilise,ce qui permet des comparaisons utiles.

Les resultats obtenus pour quelques cavites sont consignesdans le Tableau 1.

Hoefer et Ros5 ont utilise la methode TLM originate pourcalculer les frequences de resonance d'une cavite chargee parune fin-line a dimensions comparables a celles de la Fig. 3.Pour 1000 iterations, ils obtiennent la frequence de resonanceavec une erreur de 9-7% et font etat d'un temps de calcul de240 min sur IBM 360.

Nous obtenons sur un ordinateur multics HB-68 (vitessed'execution comparable a IBM 360) la frequence de resonanceen 410 s avec une erreur de 5-8%. Le rapport des temps CPUest done de l'ordre de 35, ce qui est considerable et montrebien l'interet de Putilisation de maillage a pas variable. L'undes inconvenients majeurs de la methode est fortement atten-ue, les temps de calcul devenant raisonnables et largementcompenses par les avantages deja decrits de la methode.

P. SAGUET 17th January 1984

Laboratoire a"Electromagnetisme et Micro-ondes23 me des Martyrs-38031Grenoble Cedex, France

References

1 J(5HNS, P. B., and BEURLE, R. L. : 'Numerical solution of two dimen-sional scattering problems using a transmission line matrix', Proc.1EE, 1971, 118, pp. 1203-1208

2 AKHTARZAD, s.: 'Analysis of lossy microwave structures andmicrostrip resonators by TLM method'. Ph.D. thesis, Nottingh-am, 1975

3 SAGUET, p., and PIC, E.: 'Le maillage rectangulaire et le changementde maille dans la methode TLM en 2 dimensions', Electron. Lett.,1981, 17, pp. 227-279

4 SAGUET, p., and PIC, E. : 'Utilisation d'un nouveau type de noeuddans la methode TLM en 3 dimensions', ibid., 1982, 18, pp.478-480

5 HOEFER, w. j . R., and ROS, A.: 'Fin-line parameters calculated withTLM method'. IEEE MTT-S Int. Mic. Symp., Orlando, April-May 1979

ERRATA

Authors' corrections

DRUMMOND, T. J., KOPP, W., ARNOLD, D., FISCHER, R., MORKOC,

H., ERICKSON, L. P., and PALMBERG, P. w.: 'Enhancement-modemetal/(Al, Ga)As/GaAs buried-interface field-effect transistor(BIFET)', Electron. Lett., 1983, 19, (23), pp. 986-988

The concept of using (Al, Ga)As as a semi-insulator to makean enhancement-mode device was motivated by the work ofSolomon and Hickmott at the IBM T. J. Watson ResearchCenter whom the authors have collaborated with on n+GaAs/(Al, Ga)As//i~GaAs structures. They showed that an accumu-lation layer could be formed at the (Al, Ga)As/n~GaAsheterojunction even though the (Al, Ga)As is undoped.

JANICZAK, B., and KITLINSKI, M.: 'Analysis of coupled asym-metric microstrip lines on a ferrite substrate', Electron. Lett.,1983, 19, (19), pp. 779-781

Fig. 4 should be replaced by the following:

224

5 0

U2

CO

13 8

36

3 4

3-2

3 0

2 8

2 6

h =00635 cmw1=0 0635 cm

-w2=0i27cms =00635 cmer =15 2F =9 5 GHzM =4g =199Ms=955 A/cm

C-mode

u,<0

C-mode

JT-mode

0 1 2 3 4H O / M S

ELECTRONICS LETTERS 1st March 1984 Vol. 20 No. 5