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Cours #2 Sys-838 Jamais relier une entrée du côté né Jamais relier une entrée du côté nég

Sys-838 Cours #2 Jamais relier une entrée du côté négatif

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Cours #2 Sys-838Jamais relier une entrée du côté négatifJamais relier une entrée du côté négatif

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Chapitre 2- Éléments de circuits

Ampli push-pull (T-bridge) (H-bridge)

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Chapitre 2- Éléments de circuits

Transistors à effet de champ

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Chapitre 2- Éléments de circuits

Transistors à effet de champ

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Chapitre 2- Éléments de circuits

Transistors à effet de champ

DE-MOSFETDE-MOSFET ENH-MOSFETENH-MOSFET JFETJFET

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Chapitre 2- Éléments de circuits

Transistors à effet de champ (JFET)

2

1

P

GSDSSD V

VII

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Chapitre 2- Éléments de circuits

Transistors à effet de champ (JFET)

S

D

G

RL

VDD

Exemple : Trouvez IExemple : Trouvez IDD si V si VGSGS = -3 V, I = -3 V, IDSSDSS = 12 mA, V = 12 mA, VDDDD = 24 V = 24 V

VVPP = -5V , R = -5V , RLL = 2.4 k = 2.4 k

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Chapitre 2- Éléments de circuits

Transistors à effet de champ (JFET)

Exemple : Trouvez IExemple : Trouvez IDD si R si RSS = 1 = 1 kk,, I IDSSDSS = 12 mA, V = 12 mA, VDDDD = 24 V = 24 V

VVPP = -5V , R = -5V , RLL = 2.4 k = 2.4 k

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Chapitre 2- Éléments de circuits

Transistors à effet de champ (résistance variable)

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Chapitre 2- Éléments de circuits

Transistors à effet de champ .vs. transistors bipolaires

Avantages Inconvénients

Contrôlés par une tension Sensible à l'électricité statique

Haute impédance d'entrée plage de fréquence plus limitée

Résistance variable grande dispersion des caractéristiques

Plus facile à fabriquer en circuits intégrés

Dissipe moins d'énergie

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Chapitre 2- Circuits logiques

porte ETporte ET

porte OUporte OU

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Chapitre 2- Circuits logiques

porte NONporte NON

porte NON-ET (NAND)porte NON-ET (NAND)

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Chapitre 2- Circuits logiques

porte NON-OU (NOR)porte NON-OU (NOR)

porte OU exclusifporte OU exclusif

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Chapitre 2- Circuits logiques

Famille de circuits intégrésFamille de circuits intégrésTTL TTL (Transistors bipolaires , dissipe plus d’énergie)(Transistors bipolaires , dissipe plus d’énergie)

Low-Power Low-Power High-speed High-speed Schottky Schottky Low Power Shottky, etc…Low Power Shottky, etc…

CMOS CMOS (Transistors MOSFET, fragiles)(Transistors MOSFET, fragiles)

- totem –pole : - totem –pole : fournit le courant tout seul aux autres portesfournit le courant tout seul aux autres portes

- open collector : - open collector : A besoin d’une résistance de sortie (pull-up)A besoin d’une résistance de sortie (pull-up)

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Chapitre 2- bascules (flip-flop)

Bascule RSBascule RS

Bascule JKBascule JK

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Chapitre 2- bascules (flip-flop)

Bascule DBascule D

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Chapitre 2- bascules (flip-flop)

Circuits anti-rebondsCircuits anti-rebonds

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Chapitre 2- Circuits logiques

Famille de circuits intégrésFamille de circuits intégrésCaractéristiques principalesCaractéristiques principalesVVIHIH : Valeur minimale pour avoir une entrée HIGH : Valeur minimale pour avoir une entrée HIGH

VVILIL : Valeur maximale pour avoir une entrée LOW : Valeur maximale pour avoir une entrée LOW

VVOHOH : Valeur minimale d’une sortie HIGH (Valeur typique 3.6V) : Valeur minimale d’une sortie HIGH (Valeur typique 3.6V)

VVOLOL : Valeur maximale d’une sortie LOW (Valeur typique 0.2 V) : Valeur maximale d’une sortie LOW (Valeur typique 0.2 V)

IIIHIH : Valeur maximale du courant une entrée HIGH : Valeur maximale du courant une entrée HIGH

IIILIL : Valeur maximale du courant une entrée HIGH : Valeur maximale du courant une entrée HIGH

IIOHOH : Valeur maximale du courant fourni par une porte HIGH : Valeur maximale du courant fourni par une porte HIGH

IIOLOL : Valeur maximale du courant tiré à la sortie LOW : Valeur maximale du courant tiré à la sortie LOW

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Chapitre 3 – Caractéristiques des capteurs

Caractéristiques généralesCaractéristiques statiques

- Sensibilité - Linéarité

- Hystérésis- Répétabilité

- Plage d’opération- Impédance d’entrée- Impédance de sortie

Caractéristiques dynamiques- Temps de réponse

- Fréquence de coupure- Amortissement