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5/10/2018 TP No 2 d'Electronique Analogique - slidepdf.com
http://slidepdf.com/reader/full/tp-no-2-delectronique-analogique 1/7
BINOME :
* IGUELDISSEN Hamid* MAOUSSILI jamila
INE 1
Année universitaire :2005 /2006
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1-BUT :
L’objectif de cette manipulation est d’étudier les montages amplificateursfondamentaux à base de transistors bipolaires : en relever expérimentalement les
differents paramètres (amplification, résistances d’entrée et de sorties,et déphasage ) àvide et en charge .
2-MANIPULATION :
1) Montage :
Le montage Emetteur commun est représenté sur le schéma suivant :
2) Etude en régime statique :
Etude théorique : On polarise le transistor, la source variable n’étant pas appliquée, cherchons les
‘coordonnées’ du point de repos :* Le courant Ib étant très faible , on calcule le générateur de Thevenin vu entre les
Points B et M : Eth=Vcc R2 / (R1+R2) =2,30 V ; et Rth = R1//R2 =5,75 K.
On a donc :Ib = (Eth – Vbm) /Rth =(Eth – Vbe-Re(ß+1)Ib)/Rth ~(Eth-Vbe-ßIbRe)/Rth
On en tire:
A- Montage émetteur Commun
Ib=(Eth – Vbe)/[Rth(1+ß Re/Rth)] A.N. : Ib =15,78µAIc=ß Ib Ic =2,36 mA
Vce =Vcc-(Rc+Re)Ic Vce=4,16 V
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Etude pratique : Les mesures des courants doivent être par un milliampermetre dont on ne dispose
pas ! donc on mesurera les tensions et on déduit les courants par loi d’Ohm , on signaleque l’incertitude des mesures sera plus importante, car l’erreur commise portera sur
la mesure de la tension ET aussi sur de sa division sur la résistance qui n’est pastout à fait exacte !!
Important :
La masse de l’oscilloscope et celle du montage sont liées à la terre du réseau , donc
toutes les mesures doivent s’effectuées par rapport à la masse du montage , autrement,
l’un des éléments du montage serait court-circuité . En effet ,si on mesurait Vce
directement ,donc on porte l’émetteur à la masse de l’oscillo ,on voit clairement que Re
serait court-circuitée !
On effectue les differentes mesures et on trouve :
Commentaire :Les résultas obtenus sont relativement proches des attentes théoriques ;d’autre
part, le fait d’effectuer une double mesure ne fait qu’augmenter l’incertitude .On remarque que la tension Vce0 et le courant Ic0 sont proche des valeurs données
par le document constructeur du transistor (fourni en annexe) dans les conditionsambiantes (comme celles de notre manipulation …), on peut donc accepter que letransistor est bien polarisé .
3) Etude en régime dynamique :
On attaque l’entrée du montage par une tension sinusoïdale de fréquence 1 kHz, onobserve le signal de sortie et on augmente la tension d’entrée jusqu’à la limite desaturation, qui se traduit par l’écrêtage de vs.
• Pour mesurer l’amplification Av du montage (à vide ou en charge ), on fait le rapport
de Vemax et de Vsmax
• Pour mesurer la résistance d’entrée ou de sortie , on utilise la méthode de « demi-
tension » exposée en annexe du polycopier du TP .On range les résultas obtenues ainsi que les résultas prévues (théorique)dans le
tableau ci-dessous :
V ce 0 =Vbm – Vem =5 -1,8 =3,2 V Vbe 0 = Vbm –Vem = 2,3- 1,8 =0,5 V
Ic 0 =(Vcc – Vcm)/Rc = 2,56 mA Ib 0 = (Vcc – Vbm) /R1 – Vbm /R2 = 17,80 µA
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4) Conclusion :
Les résultats pratiques ne coincide pas tout à fait avec les résultats prévusthéoriquement , cepondant , on peut tolérer les differences qui sont pas beaucoupimportantes vu les incertitudes dues à la manipulation et aussi aux composant qui ne
sont pas données par précision comme l’indique le document constructeur du transistorBC107B .
On constate que ce montage (pour lequel les tensions d’entrée et de sortie sonten opposition de phase ) présente une grande amplification , qui augmente avec larésistance de charge et tend vers Av0 ; quant aux résistance d’entrée et de sortie,elles sont de valeurs moyenne .le montage émetteur commun est un montage
amplificateur .
*********************************************************************
1) Montage :
Le montage Collecteur commun est représenté sur le schéma suivant :
2) Etude en régime statique :
En poursuivant les mêmes démarches que pour le montage émetteur commun (enprenant Rc=0), on détermine le point de fonctionnement statique du transistor :
Av Rentrée Rsortie Dephasage
théorique
pratique
théorique
pratique
théorique
pratique
théorique
Pratique
A vide -213,93 -250 2,62K 3,1K 3,9K 2,85K П П
RL=100 -5,87 -6 2,62K 3,1K 3,9K 2,85K П П
RL=1K -48,08 -57,4 2,62K 3,1K 3,9K 2,85K П П
B- Montage collecteur commun
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Ib = 61,34 µA Ic =9,20 mA Vce =5,79 V
Pratiquement :
On mesure compte tenu des raisons précitées pour le cas d’un émetteur commun :
Commentaire :
On remarque que le courant Ib est trop different du résultat théorique ,ceci estnormal car comme on mesure une grandeur de très faible valeur par des instrumentsqui ne sont pas ‘parfaits’ ,donc la marge d’erreur est conciderable . Pour autres valeurssont acceptables ; aussi, on peut accepter que le transistor est bien polarisé . En effet, les coordonnées du point de repos sont loins des points de fonctionnement du
transistor ,à savoir le blocage et la saturation .
3) Etude en régime dynamique :
On attaque l’entrée par un signal sinusoïdal de fréquence 1kHz et d’amplituden’entraînant pas la saturation du montage, les differents résultats obtenus ainsi que lesattentes théoriques sont rassemblés dans le tableaux suivant :
* : Rsortie ne dépend pas de la charge .
4) Conclusion :Les tensions d’entrée et de sortie sont pratiquement confondues : amplification
unitaire et déphasage nul ; la résistance d’entrée est d’une grande valeur et celle desortie est très faible.
Ce montage est utilisé en tant qu’adaptateur d’impédance ,c’est pour cette raisonqu’on le rencontre souvent à la sortie d’une chaîne amplificatrice qui alimente unmontage à faible impédance (par exemple haut parleur …)
*********************************************************************
Vbe0= Vbm – Vcm = 8 -7,5 =0,5 V Vce0 =Vcc -Vem = 15- 7,5 = 7,5 V
Ib0 = (Vcc – Vbm)/R1 – Vbm/R2 = 0,15 mA Ic0 = Vem /Re – Ib = 7,34 mA
Av Rentrée Rsortie Déphasagethéorique
pratique
théorique
Pratique
Théorique*
pratique
théorique
Pratique
A vide 1 ~1 18,60K 26K 16,22 21,95 0 0
RL=100 ~1 ~1 12,14K **** 16,22 ***** 0 0
RL=1K ~1 ~1 17,53K **** 16,22 ***** 0 0
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1) Montage :
Le montage Base commune est représenté sur le schéma suivant :
2) Etude en régime statique :
En poursuivant les mêmes démarches que pour le montage émetteur commun , ondétermine le point de fonctionnement statique du transistor :
Ib = 14,47 µA Ic=2,21 mA Vce =4,86 V
Pratiquement :
On mesure compte tenu des raisons précitées pour le cas d’un émetteur commun :
Commentaire :
On remarque que le courant Ib est trop different du résultat théorique ,ceciest normal car comme on mesure une grandeur de très faible valeur par desinstruments qui ne sont pas ‘parfaits’ ,donc la marge d’erreur est conciderable . Pour
C- Montage baseCommune :
Vbe0= Vbm – Vem = 2 – 1,4 =0,6 V Vce0 =Vcm-Vem = 5,6- 1,4 = 4,2 V
Ib0 = (Vcc – Vbm)/R1 – Vbm/R2 = 36µA Ic0 = Vem /Re – Ib = 2,02 mA
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autres valeurs sont acceptables ; aussi, on peut accepter que le transistor est bienpolarisé . En effet , les coordonnées du point de repos sont loins des points defonctionnement du transistor ,à savoir le blocage et la saturation .
3) Etude en régime dynamique :
On attaque l’entrée par un signal sinusoïdal de fréquence 1kHz et d’amplitude
n’entraînant pas la saturation du montage, les differents résultats obtenus ainsi queles attentes théoriques sont rassemblés dans le tableaux suivant :
: * :Rentrée et Rsortie ne dépendent pas pour ce montage de la charge .4) Conclusion :
On constate que ce montage présente à peu près la meme amplification que cellede l’émetteur commun conformément à la théorie . cepondat , la résistance d’entréeest faible alors que celle de sortie est grande , les tensions d’entrée et de sortie
sont cette fois en phase .
**************************************************3 – Conclusion de la manipulation :
Le tableau suivant permet de comparer les differents montages étudiés :
Emetteur commun Collecteur commun Base commune
Av grand unitaire Grand
Rentrée Moyenne Très grande Très faible
Rsortie Moyenne Très faible Grande
déphasage П 0 0
Av Rentrée Rsortie Déphasage
théorique
pratique
Théorique*
pratique
théorique
Pratique*
théorique
Pratique
A vide 213,93 200 16,42 19 4,67K 5K 0 0
RL=100 5,87 5,88 16,42 **** 4,67K **** 0 0RL=1K 48,08 44,44 16,42 **** 4,67K **** 0 0