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 Une diode Gunn, également connu comme un dispositif électronique transférés (TED), est une forme de diode utilisé dans l'électronique haute fréquence. Il est quelque peu inhabituel en ce qu'il consiste seulement de matériau semi-conducteur dopé N, alors que la plupart sont composées de diodes P et les régions N- dopé.Dans la diode Gunn, trois régions existent: deux d'entre eux sont fortement dopé N sur chaque terminal, avec une fine couche de matériau faiblement dopé entre les deux. Lorsqu'une tension est appliquée au dispositif, le gradient électrique sera la plus importante à travers la couche mince intermédiaire. Conduction aura lieu comme dans tout matériau conducteur à courant étant proportionnel à la tension appliquée. Finalement, à des valeurs de champ plus élevé, les propriétés conductrices de la couche intermédiaire sera modifié, ce qui augmente sa résistivité et de réduire le gradient à travers lui, empêcher la conduction et d'autres en cours commence effectivement à tomber. Dans la pratique, cela signifie une diode Gunn a une région de résistance différentielle négative. La résistance différentielle négative, combinée avec les propriétés de synchronisation de la couche intermédiaire, permet la construction d'un oscillateur à relaxation RF simplement en appliquant un courant approprié direct à travers le dispositif. En effet, la résistance différentielle négative créée par la diode réduit à néant la résistance réelle et positive d'une charge réelle et de créer ainsi un "zéro" circuit de résistance qui soutiendront oscillations indéfiniment. La fréquence d'oscillation est déterminée en partie par les propriétés de la couche médiane mince, mais peut être réglée par des facteurs externes. diodes Gunn sont donc utilisés pour construire des oscillateurs dans la gamme de fréquences 10 GHz et plus (THz), où un résonateur est généralement ajouté à la commande de fréquence. Ce résonateur peut prendre la forme d'une cavité micro-ondes guide d'onde, ou d'une sphère YIG.Tuning se fait mécaniquement, en ajustant les paramètres du résonateur, ou en cas de sphères YIG en changeant le champ magnétique.  Arséniure de gallium diodes Gunn sont faites pour des fréquences jusqu'à 200 GHz, les matériaux de nitrure de gallium peut atteindre jusqu'à 3 terahertz. [1] [2] La diode Gunn est basée sur l'effet Gunn, et les deux sont nommées pour le physicien JB Gunn qui, chez IBM en 1962, a découvert l'effet parce qu'il a refusé d'accepter incompatibles résultats expérimentaux en arséniure de gallium comme du "bruit", et traqué la cause . Alan Chynoweth, des Bell Telephone Laboratories, a montré en Juin 1965 que seulement un mécanisme de transfert d'électrons pourrait expliquer les résultats expérimentaux. [3] L'interprétation se réfère à la théorie de Ridley-Watkins-Hilsum. L'effet Gunn, et sa relation à l'effet de Watkins-Ridley-Hilsum entré dans la littérature monographie dans le début des années 1970, par exemple dans les livres sur les dispositifs d'électrons transférés [4] et, plus récemment, sur les méthodes des ondes non linéaires pour le transport de charge [5]. Plusieurs autres livres qui ont fourni la même couverture ont été publiés dans l'intervalle, et peut être trouvé par la bibliothèque de recherche et libraire catalogues Gunn effet.  

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Une diode Gunn, également connu comme un dispositif électronique transférés(TED), est une forme de diode utilisé dans l'électronique haute fréquence. Il estquelque peu inhabituel en ce qu'il consiste seulement de matériau semi-conducteur dopé N, alors que la plupart sont composées de diodes P et les régions N-dopé.Dans la diode Gunn, trois régions existent: deux d'entre eux sont fortementdopé N sur chaque terminal, avec une fine couche de matériau faiblement dopé

entre les deux. Lorsqu'une tension est appliquée au dispositif, le gradient électriquesera la plus importante à travers la couche mince intermédiaire. Conduction aura lieucomme dans tout matériau conducteur à courant étant proportionnel à la tensionappliquée. Finalement, à des valeurs de champ plus élevé, les propriétésconductrices de la couche intermédiaire sera modifié, ce qui augmente sa résistivitéet de réduire le gradient à travers lui, empêcher la conduction et d'autres en courscommence effectivement à tomber. Dans la pratique, cela signifie une diode Gunn aune région de résistance différentielle négative.La résistance différentielle négative, combinée avec les propriétés desynchronisation de la couche intermédiaire, permet la construction d'un oscillateur àrelaxation RF simplement en appliquant un courant approprié direct à travers ledispositif. En effet, la résistance différentielle négative créée par la diode réduit à

néant la résistance réelle et positive d'une charge réelle et de créer ainsi un "zéro"circuit de résistance qui soutiendront oscillations indéfiniment. La fréquenced'oscillation est déterminée en partie par les propriétés de la couche médiane mince,mais peut être réglée par des facteurs externes. diodes Gunn sont donc utilisés pour construire des oscillateurs dans la gamme de fréquences 10 GHz et plus (THz), oùun résonateur est généralement ajouté à la commande de fréquence. Ce résonateur peut prendre la forme d'une cavité micro-ondes guide d'onde, ou d'une sphèreYIG.Tuning se fait mécaniquement, en ajustant les paramètres du résonateur, ou encas de sphères YIG en changeant le champ magnétique. Arséniure de gallium diodes Gunn sont faites pour des fréquences jusqu'à 200 GHz,les matériaux de nitrure de gallium peut atteindre jusqu'à 3 terahertz. [1] [2]La diode Gunn est basée sur l'effet Gunn, et les deux sont nommées pour lephysicien JB Gunn qui, chez IBM en 1962, a découvert l'effet parce qu'il a refuséd'accepter incompatibles résultats expérimentaux en arséniure de gallium comme du"bruit", et traqué la cause . Alan Chynoweth, des Bell Telephone Laboratories, amontré en Juin 1965 que seulement un mécanisme de transfert d'électrons pourraitexpliquer les résultats expérimentaux. [3] L'interprétation se réfère à la théorie deRidley-Watkins-Hilsum.L'effet Gunn, et sa relation à l'effet de Watkins-Ridley-Hilsum entré dans la littératuremonographie dans le début des années 1970, par exemple dans les livres sur lesdispositifs d'électrons transférés [4] et, plus récemment, sur les méthodes des ondesnon linéaires pour le transport de charge [5]. Plusieurs autres livres qui ont fourni lamême couverture ont été publiés dans l'intervalle, et peut être trouvé par la

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 Dans la plupart des situations, la résistance du circuit aura une valeur positive. Cela

signifie ce qui est négatif et l'amplitude de l'oscillation diminue de façon exponentielleavec le

temps. En effet, le circuit commence avec une quantité d'énergie stockée

dansl'inductance par le courant de démarrage. Comme le temps passe, cette énergie

estdissipée par la résistance. L'énergie d'oscillation disparaît et la résistance seréchauffe. Cependant, si nous pouvons prendre des dispositions pour la

résistance àzéro, le courant

initial commence une oscillation dont l'amplitude reste inchangée au fildu

temps. Aucune partie de l'énergie d'oscillation est jamais dissipée.

application de la diode gunn

capteurs et instruments de mesure 

Il s'agit notamment de [6]: radar anticollision embarqué, les

freins antiblocage,capteurs pour le contrôle du débit de traffice, détecteurs de radar devoiture, les systèmes de sécurité des piétons, la distance parcourue "enregistreurs,

détecteurs de mouvement,« à vitesse lente "capteurs (pour détecter contrôleurs de la

circulation des piétons et la circulation jusqu'à 50 km / h), des feux de circulation, ouvre-

portes automatiques, portes automatiques de la circulation, l'équipement de contrôle pour 

surveiller le débit, les alarmes antivol et de l'équipement pour détecter les intrus, les

capteurs afin d'éviter tout déraillement de train, détecteurs de vibrations à distance, la

vitesse de rotation tachymètres, surveille la teneur en humidité. 

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