Problématique « utilisation »FonctionnalitésPerformanceConsommationFiabilitéPrix du produit
Sept. 2012 - 700,000
Problématique « utilisation »FonctionnalitésPerformanceConsommationFiabilitéPrix du produit
Apple’s custom designed dual core A6 chip, the tests show that the CPU runs at a variable frequency, ranging from 800MH to 1.2GHz. The actual frequency, of course depends upon the load on the device at a certain point of time.
Problématique « utilisation »FonctionnalitésPerformanceConsommationFiabilitéPrix du produit
SunSpider benchmark tests the Javascript performance of a brewer, which depends both on the Javascript engine as well as the hardware:
Problématique « utilisation »FonctionnalitésPerformanceConsommationFiabilitéPrix du produit
The suite tests GPU performance by rendering a standard set of scenes using OpenGL ES 2.0
Problématique « utilisation »FonctionnalitésPerformanceConsommationFiabilitéPrix du produit
http://www.anandtech.com/show/6324/the-iphone-5-performance-preview
Problématique « utilisation »FonctionnalitésPerformanceConsommationFiabilitéPrix du produit
Problématique « utilisation »FonctionnalitésPerformanceConsommationFiabilitéPrix du produit
http://78michel.unblog.fr/category/technique/smartphone/
Problématique « utilisation »FonctionnalitésPerformanceConsommationFiabilitéPrix du produit
calculatrice, un chronomètre, fonction de rappel. « Snake II », « Pair II », « Space Impact », et « Bantumi ». possibilité d'envoyer de longs messages ayant le double de la taille d'un SMS standard. possibilité de composer des numéros à la voix pour la composition rapide du numéro.
Problématique « utilisation »FonctionnalitésPerformanceConsommationFiabilitéPrix du produit
Problématique « utilisation »FonctionnalitésPerformanceConsommationFiabilitéPrix du produit
Problématique « utilisation »FonctionnalitésPerformanceConsommationFiabilitéPrix du produit
http://dl.google.com/io/2009/pres/W_0300_CodingforLife-BatteryLifeThatIs.pdf
Problématique « utilisation »FonctionnalitésPerformanceConsommationFiabilitéPrix du produit
http://sfb876.tu-dortmund.de/PublicPublicationFiles/manningdahan_etal_2012a.pdf
Problématique « utilisation »FonctionnalitésPerformanceConsommationFiabilitéPrix du produit
Video
http://static.usenix.org/event/atc10/tech/slides/carroll.pdf
Problématique « utilisation »FonctionnalitésPerformanceConsommationFiabilitéPrix du produit
Problématique « utilisation »FonctionnalitésPerformanceConsommationFiabilitéPrix du produit
Problématique « utilisation »FonctionnalitésPerformanceConsommationFiabilitéPrix du produit
Problématique « utilisation »FonctionnalitésPerformanceConsommationFiabilitéPrix du produit
Problématique « fabrication »MiniaturisationIntégration SIPIntégration 3DNouvelles technologiesRendementVariabilitéCoûts de fabrication
Problématique « fabrication »Miniaturisation et consommation!Intégration SIPIntégration 3DNouvelles technologiesRendementVariabilitéCoûts de fabrication
0
140
60
100
1950
Wat
ts /
cm2
19701960 1980 1990 2000 2010
40
20
80
120Bipolar
Vacuum IBM 360IBM 370 IBM 3033
IBM ES9000
Fujitsu VP2000IBM 3090S
NTT
Fujitsu M- 780
IBM 3090CDC Cyber 205
IBM 4381IBM 3081
Fujitsu M380
CMOS
IBM RY5IBM GP
IBM RY6
Apache
Pulsar
Merced
IBM RY7
IBM RY4
Pentium II(DSIP)
Pentium 4?
Problématique « fabrication »MiniaturisationIntégration SIPIntégration 3DNouvelles technologiesRendementVariabilitéCoûts de fabrication
Problématique « fabrication »MiniaturisationIntégration SIPIntégration 3DNouvelles technologiesRendementVariabilitéCoûts de fabrication
Problématique « fabrication »MiniaturisationIntégration SIPIntégration 3DNouvelles technologiesRendementVariabilitéCoûts de fabrication
“The root cause of variability in bulk CMOS technology is mainly RDF, random dopant fluctuations, i.e. variations in the exact number and position of dopant atoms in the channel of the transistor.”
electrical behavior different from its nominal behavior, with random differences of threshold voltage (VT)
Problématique « fabrication »MiniaturisationIntégration SIPIntégration 3DNouvelles technologiesRendementVariabilitéCoûts de fabrication
Tri Gate ou Transistors 3DFinFET(INTEL Ivy Bridge)
FD SOI
http://www.youtube.com/watch?v=Jctk0DI7YP8
Problématique « fabrication »MiniaturisationIntégration SIPIntégration 3DNouvelles technologiesRendementVariabilitéCoûts de fabrication
NanoTechnos
MRAM
Problématique « fabrication »MiniaturisationIntégration SIPIntégration 3DNouvelles technologiesRendementVariabilitéCoûts de fabrication
Problématique « fabrication »MiniaturisationIntégration SIPIntégration 3DNouvelles technologiesRendementVariabilitéCoûts de fabrication
Problématique « fabrication »MiniaturisationIntégration SIPIntégration 3DNouvelles technologiesRendementVariabilitéCoûts de fabrication