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Mesures d’étalement Mesures d’étalement
par SiProt par SiProt
avec TimePix avec TimePix
CEA SaclayCEA SaclayRéunion RESISTRéunion RESIST 3 novembre 20083 novembre 2008
David ATTIÉDavid ATTIÉ
[email protected] Réunion RESIST, Saclay – 3 novembre 2008 2
Introduction
• Puce + Siprot + Micromegas/Ingrid
Puce TimePix
SiProt
Pilier
aSi:H,Si3N4
[email protected] Réunion RESIST, Saclay – 3 novembre 2008 3
TimePix + InGrid
55 m
55 m
Pixel
11 22 33
44
55
55
μ m
55 μ m
20 μm de a-Si:H
[email protected] Réunion RESIST, Saclay – 3 novembre 2008 4
Micro TPC à base de puce TimePix
Cage de champ
Capot
Micromegas
puce de lecture Medipix2/TimePix
Fenêtre pour sources X
Fenêtre pour source
Schéma :
[email protected] Réunion RESIST, Saclay – 3 novembre 2008 5
Micro-TPC TimePix/Micromegas + 20 μm
• Puce TimePix+ 20 μm SiProt+ Micromegas
• 90Sr source
• Ar He
• Mode Temps
• z ~ 40 mm
• Vmesh = -340 V
• tshutter = 180 μs
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TimePix + 20 μm SiProt + Micromegas
Ar/Iso (95:5)
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TimePix + 20 μm SiProt + Micromegas
Ar/Iso (95:5)1
[email protected] Réunion RESIST, Saclay – 3 novembre 2008 8
TimePix + 20 μm SiProt + Micromegas
1
320 ns
[email protected] Réunion RESIST, Saclay – 3 novembre 2008 10
TimePix + SiProt 15 μm + InGrid
Ar/Iso (95:5)2
150 ns
[email protected] Réunion RESIST, Saclay – 3 novembre 2008 11
TimePix + SiProt 15 μm + InGrid
Ar/Iso (95:5)2
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TimePix + 20 μm SiProt + Micromegas
250 ns
[email protected] Réunion RESIST, Saclay – 3 novembre 2008 13
Silicon Nitride Si3N4
• Utilisé habituellement comme couche ahti-scratch sur les CMOS
• Si-RichN, l’excès de Si donne une couche résistive
• Déposé PECVD à T < 300 °C
7 μm Si3N4
