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Détecteurs Semi-Conducteurs Journées de Prospective DSM/DAPNIA/IN2P3 La Colle sur Loup 14 Octobre 2004 P E T Jean-François Genat

Détecteurs Semi-Conducteurs Journées de Prospective DSM/DAPNIA/IN2P3 La Colle sur Loup 14 Octobre 2004 PETPET Jean-François Genat

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Détecteurs Semi-Conducteurs

Journées de Prospective DSM/DAPNIA/IN2P3 La Colle sur Loup 14 Octobre 2004

PET

Jean-François Genat

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Sommaire

Dispositifs, géométries

Matériaux: Si, Ge, CdTe, CdZnTe, Si Géométries: CCDs, Pixels, Pads,

Strips,

Problématiques communes

Nucléaire-HEP-Astro-Spatial

Expériences et Projets

Valorisation

Moyens

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Principe et Performances

- Ionisation du matériau: Silicium, Germanium, GaAs…

- Collection par un champ électrique:Drift, électrodes (CCDs),Jonction PN polarisée en inverse.

Sensibilité MIP: 8000e- / 100 m

Résolution en énergie 5-100eV @ 6 keV50 keV @ 5.5 MeV 2 keV @ 1 MeV

Résolution spatiale ~1.5 m (MAPS pixels 10 m)

à 15 m (Hybrides pixels 125 m )

Transparence 0.1% X0 / 100 m

Tenue aux radiations O(100) kRad (CCD) - 50 Mrad (Hybrides)

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Géométries

- “Bulk” Spectroscopie nucléaire Résolution en énergie, trajectographie Identification, charge

- Planaire

- Strips Localisation, Trajectographie

- Pads Calorimétrie électromagnétique

- Pixels Vertex, Astronomie, Imagerie médicale

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Strips de Silicium

Détecteur: Silicium de haute résistivité O(k/cm)

Électronique: Silicium Sub-micronique profond

Intégration sur détecteur

Résolution: ~O(10)m (pitch > 100 m)

Lecture: shaping long O(s) -> charge

shaping court O(20 ns) -> time

Transparence: 0.1 X0 / 100 m

Alice, CMS, MUST2

Perspectives: Wafers 12”, amincissement (100-200 m) Electronique basse puissance DSM/SiGe, timing.

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Electronique

0.18 m DSM CMOS

ILC: SiLC Detector Ladder with FE Electronics

A. Savoy-Navarro

60 cm

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Détecteurs à Pixels

• CCD Transfert de Charge• HPS Pixels “Hybrides” • MAPS Pixels “Monolithiques”

Applications: Détecteurs de Vertex Télescopes Bolomètres Imagerie médicale

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CCDsCharge Coupling Devices:

Grilles d’électrodes: pixels de O(10) m2 sur Silicium spécifiqueCharge déposée propagée jusqu’à la sortie et amplifiée pixel après pixelProcess dédié, généralement amincis (QE, résolution)

Excellente granularité: pixels 5 x5 m2

Sensibles jusqu’a qq 10 keVVolume sensible mince: 20 mDynamique élevée: 18 bits @ 0.1 MHzTenue aux radiations pour le spatial : O(100) kRad, 109

neq/cm2

Lecture série: 1-50 MHz

Options: - Amplification à chaque transfert (Dosimap)- Haute résistivité, éclairement arrière: QE > 0.8 dans tout le visible

Perspectives: (ILC), Electronique de lecture pour JDEM, DUNE, …

(SLD), Mégacam, Astro X,

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CCDs du SLAC Linear Collider Detector (SLD) CCDs de MEGACAM (CFHT)

(SLAC 1998) (Saclay 2001)

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Pixels HybridesHybrid Pixels Sensors: Détecteur soudé sur son électronique

Détecteur: Optimisé pour l’application: Silicium de haute résistivité MIPS

NbSi IR lointain HgCdTe, InGaAs IR proche CdTe X,

Electronique: Silicium “électronique” Sub-micronique profondAmpli(Q), Time Over Threshold, Comptage de

photons

Micro-Soudure par billes d’Indium ou SnPb

Résolution: pixels 100 m, résolution ~15 mTrès bonne tenue aux radiations: 1015 neq/cm2 60 Mrad @ -6°C Lecture rapide: 50 MHz zero suppressionTransparence: 0.2-0.4% X0

LHC, Medipix

Perspectives: SLHC, JDEM, Dune, Simbol-X

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module

substrat Détecteur

Si ou CdTeEp: 0,3 mm

Comptage de photons1 chaîne complète par pixel

Pixels: 50 à 300 μm

Bump-bonding

2 x 6 cm2

Pixels hybrides

P. Delpierre, Mai 2004

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Pixels MonolithiquesMonolithic Active Pixels Sensors:

Détecteur en silicium électronique: couche épitaxiale 10 mÉlectronique active intégrée

Très bonne résolution: pixels 10 m, 1.5-2.5 m Tenue aux radiations: 1 MRad, 1012 neq/cm2

Lecture rapide: 50 MHz Bruit: 10 e- Transparence: <0.1% X0, 1.5*10-4 sans substrat

Charge amplifiée et traitée par chaque pixel. Système sur puce (SoC) Options: Double corrélation : bruit ~ 10 e-

Amincissement: 15 m: électrons de faible énergiestructure EBCMOS

STAR Perspectives: ILC, CBM, Panda (FAIR), ADC, système.

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• Mimosa 7

photoFET.25 m pitch, Pas d’epi., 0.35 m, 64x16 readout // avec CDS.

• Mimosa 8

25 m pitch, 8 m epi., 0.25 m, 128x32 readout // avec CDSDiscriminateur

M. Winter

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Absorbeur: TungstèneLecture: pads de Silicium d’un cm2 (diodes PIN)Électronique AMS 0.35 m, R: Silicium amorphe, C: Si3N4

Calorimètre à 32 106 canaux Optimisé pour la séparabilité photons/traces chargéesE/E = 11 à 14% / sqrt(E)

62 mm

Silicon wafers with 6×6 pads (10×10 mm2)

62 m

m

ILC Calice

ACTIVE ZONE(18×18 cm2)

200mm

360mm

J-C Vanel LCWS 2004

Calorimétrie Electromagnétique ILC

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Détecteurs pour la Spectroscopie

- Germanium

- CdTe, CdZnTe

- Silicium

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Germanium

Coaxial, cristaux de haute pureté refroidis: Spectroscopie

Échantillonnage et analyse des impulsionsTracking

En ligne ->

Excellente résolution spectrale: 1.2 keV @ 100 keV 2 keV @ 1 MeV

Pixels de 2cm * 2cm

Euroball -> AGATA (démonstrateur 2008)Gain en sensibilité: 2 à 3 ordres de grandeur avec le détecteur complet

G. DuchêneJean-Francois Genat Détecteurs-Semi-conducteurs La Colle sur Loup, 14/9/04

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Perspective d’upgrade d’AGATA

Perspective: AGATA. O(10) keV ->10MeV

Pixels de 1mm, Réduction des zones inactives,

Optimisation du champ électrique,

Électronique ~100K fortement intégrée

G. Duchêne

Simulation du potentielen géométrie planaire

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CdTe 4-800 keV @ Température ambiante

Pixels hybrides 1 * 1 cm2 400 * 400 m2

Résolution 1.5 keV @ 60 keV

Electronique intégrée 256 pixels, bruit 2 eV @ p = 10 s

Accroître l’énergie, la résolution en énergie, et la résolution spatiale.

CdTe, CdZnTe

Perspective: XEUS, Simbol X, ÉCLAIRs, biomédical

CdTe Pixels 125 * 125 m2, énergie > MeV, résolution 1% à 511 keV

CdZnTe (%Zn) Jean-Francois Genat Détecteurs-Semi-conducteurs La Colle sur Loup, 14/9/04

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Ø 14 cm

PET

Détecteur à pixels CdTe125 *125 mm2 sur 6,4 x

6.4cm2

(2006)

PET

PET

L’ensemble TEP et CTtourne autour de la souris

Source-X

PE Tomographie + Scanner X

P. Delpierre Jean-Francois Genat Détecteurs-Semi-conducteurs La Colle sur Loup, 14/9/04

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SiliciumDétection de la masse et de la charge des ions: 1 < Z < 90 et 1 < A < 130 0.2 MeV < E < qq GeV

Télescopes:Strips de Silicium (300 m): 50 keV @ 5.5 MeV

+Silicium-Lithium (1 à 5 mm): < 100 keV

Masse et charge déduites de la forme du pulse de courantElectronique dédiée: mémoires analogiques + ADC/DSP.

Aux énergies plus faibles, couplage énergie-temps de vol

Silicium cryogénique: Bolomètres IR à 300 mK (Groupe Cryo-détection)

Perspectives: AZ-4GRAPA, FAZIA

ELISA-pol CMB

P-O Lagage

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Herschel

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Problématiques communes

Convergences Physique Nucléaire, HEP, Astro:

- Segmentation / Nombre de voies- Puissance- Tenue aux radiations- Poids, encombrement, transparence- Integration d’electronique

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- Modélisation et simulation

Calculs de champ électrique 3D, évaluation des impulsions

(TCAD, ISE), photo-détection.

- Caractérisation des matériaux

Courants de fuite, optimisation des dopages

- Traitement des surfaces

Passivation, isolants pour couplage AC

Réduction des courants de surface et des zones mortes

- Tenue aux radiations

Synergie avec les physiciens du solideJean-Francois Genat Détecteurs-Semi-conducteurs La Colle sur Loup, 14/9/04

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Quelques Expériences et Projets

Expérience Discipline Type d’experience Détecteurs

SIMBOL-X2010

GRAPAConcept

Phys. Nucl. Télescope, ions lourds et légers, basse énergie, X et électrons

Ge + Si

FAZIAConcept

Phys. Nucl. Télescope, collisions d’ions lourds

Si + CsI/Si (pin diodes)

Calice2015

HEP ILC Calorimètre électromagnétique

Matrices Si + W

SiLC2015

HEP ILC Tracker Tout Silicium ou Si + TPC

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Astro.Télescope spatial, rayons X et X durs (0.1 à 70 keV)

Matrice CdTe pixellisés + Anti-coincidence (BGO ou Si)

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Expérience Discipline Type d’expérience Détecteurs

ECLAIRs

2008

Astro. Télescope spatial visible X et

CdTe pixellisés

GLAST

2006

Astro. Télescope spatial, 20 MeV – 1 TeV

Tracker Si strips + W

JDEM, DUNE

2010 2008

Astro. Télescopes spatiaux visible -Infra-Rouge proche 1.7 m

CCDs + HgCdTe

AGATA

Démonstrateur 2008

Phys. Nucl. Tracker sur 4 Germanium de haute pureté segmenté 180*36

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Valorisation 

Domaine de valorisation

Programme détecteurs Thème

Imagerie médicale

PIXCAM / IN2P3 /CPPM

Si ou CdTe

Pixel hybride, mode comptage, micro-CT+ PET, imagerie du petit animal.

POCI / IN2P3 / IPNO Si résistif ou CdTe

Imagerie par barycentrage pour le diagnostic du cancer du sein

Fonction d’entrée petits animaux / DAPNIA

Si PIN Accessoire pour l’imagerie petit animal, comptage beta +

Militaire CdTe Surveillance de matières dangereuses, non-prolifération, contrôle non destructif

Nucléaire civil CdTe Diagnostic aéroporté d’incident nucléaire, dosimétrie active (imagerie de pièce contrôlée, alertes)

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Biomédical

Instrumentation

Subatech Grilles Micromegas Xe Haute pression

Dosimétrie

Radiothérapie conformationnelle

LPC Caen 6eme PCRD Lecture CCDs CCDs amplifiés

Vision GIS Photonis EBCMOS HPD + Pixels MAPS

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Moyens mutualisés

Moyens CAO électronique Cadence et al.

Simulations détecteur TCAD, ISE, home made…

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Conclusion

Grande richesse de projets:

Quelques développements (non limitatif) hors IN2P3/DAPNIA

DiamantSilicium amorphe et polycristallinSilicium a basse températureNano-tubes de Carbone

Complémentarité avec l’Électronique

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Nano-tubes de Carbone:LED infra-rouge (BNL-IBM 2003)

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The End

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Moyens

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Lecture CCDs/HgCdTe 120 k€ 10h 3ans

Scanner PET 500 k€ 5h 3ans

Pixels hybrides 600 k€ 3h 3ans

Développements CdTe 600 k€ 6h 4ans

Pixels MAPS 1 M€ 13h 9ans

Germanium: 1.2 M€ 12h 5ans

Détecteur Silicium : 5 M€ / 100m2

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G. Duchêne

Carte de potentielPlanaire

Cristals Ge L = 90 mm=80 mm

180 hexagonal crystals 3 shapes60 triple- clusters all equalInner radius (Ge) 21 cm

Amount of germanium 320 (430) kg

Fraction of germanium used: 74%Solid angle coverage 79 %6480 segmentsEfficiency: 24% (M =30)

Peak/Total:

38% (M =1)

53% (M =1) 46% (M =30)

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Divers- Magnétomètres

- Micro-capteurs magnétiques - Junctions Tunnel déposées sur Silicium CMOS

- Structure EBCMOS Voir: Photo-Detecteurs

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- PMs Silicium (Dolgoshein) Voir: Photo-Detecteurs