5
Surface Science 95 (1980) L254-L258 Q North-Holland Pubhshmg Company SURFACE SCIENCE LETTERS DISSOLUTION DU CI~SIUM ADSORBI~ SUR GRAPHITE ET FORMATION DE COMPOSI~S LAMELLAIRES M LAGUES, D MARCHAND et A.P. LE(;RAND Laboratotre de Phystque Quanttque, ~qutpe de recherche assoct6e au 6WRS No 6 76. k,~ olc Sup6rieure de Physique et Chtmte htdustrtelles de la Utile de Paris, 10 Rue ['auquelin, F-75231 Paris Cedex 05, France Recewed 3 January 1980 Lvolutlon of the surface concentration of cesmm adsorbed on HOPG turbostratlc graphite samples have been studxed after various heat treatments After heating at 750 K of the ftrst deposit, the cesium then deposited at room temperature, quickly dissolves m the bulk. When deposited at 200 K, a new cesium layer is stable The ratio of cesium Auger transitions (47 eV and 563 eV) varies apprecmbly (from l to 4) in accordance with the quantity adsorbed and the successive heat treatments of the sample The formation of graphite lamellar compounds ot cesium produces a new transmon at 280 eV on the graphite KVV Auger peak Metallograptuc microscope pictures of the sample after deposmon and dissolution of several monolayers of cesium exhxblt a preferential diffusslon along gram boundaries of the sbustrate La forte r~activlt~ des compos~s lamellalres de m~taux alcalms, pr6par6s par exemple par la m6thode dite du "tube g deux boules" [1 ], rend dlfficile l'observa- tion sous ultravlde de leurs propri~t6s superficielles. Deux techniques sont actuellement utilis6es pour 6vlter la pollution de la surface observ6e: soit le transfert en atmosph6re neutre dans l'encemte ultravide, soit le clivage in-situ des ¢chantillons [2]. Nous pr~sentons icl une approche dlff~rente qm consiste ~ r6aliser in-sltu quel- ques couches d'un compos~ lamellaire. Nous avons choisi des matCriaux du type CsCn dont les propri6t~s de volume sont maintenant blen connues [3,4]. Cette lettre pr~sente les premiers r6sultats obtenus avec un substrat turbostratique HOPG (Union Carbide). La concentration superficlelle de cesium est mesur~e par spectros- copie Auger (analyseur cylindrique) et la structure cristalline est observ6e par dif- fraction d'~lectrons lents. Les d~p6ts de C6SlUm sont effectu~s grgce h des g~n~ra- teurs d'alcalins utilis~s pour la r6alisation industneUe de photocathodes (SAES getters). La r~duction ~ haute temp6rature (environ 1000 K) de chromate de c6sium par un alliage aluminium(16%)-zirconium(84%) est raise ~ profit pour produire un jet de c6sium collimat6 sur l'6chantillon de graphite [5] La figure 1 pr6sente les spectres Auger. (a) du graphite avant tout traitement et L254

Dissolution du césium adsorbé sur graphite et formation de composés lamellaires

Embed Size (px)

Citation preview

Surface Science 95 (1980) L254-L258 Q North-Holland Pubhshmg Company

SURFACE SCIENCE LETTERS

DISSOLUTION DU CI~SIUM ADSORBI~ SUR GRAPHITE ET FORMATION DE COMPOSI~S LAMELLAIRES

M LAGUES, D MARCHAND et A.P. LE(;RAND Laboratotre de Phystque Quanttque, ~qutpe de recherche assoct6e au 6WRS No 6 76. k,~ olc Sup6rieure de Physique et Chtmte htdustrtelles de la Utile de Paris, 10 Rue ['auquelin, F-75231 Paris Cedex 05, France

Recewed 3 January 1980

Lvolutlon of the surface concentration of cesmm adsorbed on HOPG turbostratlc graphite samples have been studxed after various heat treatments After heating at 750 K of the ftrst deposit, the cesium then deposited at room temperature, quickly dissolves m the bulk. When deposited at 200 K, a new cesium layer is stable The ratio of cesium Auger transitions (47 eV and 563 eV) varies apprecmbly (from l to 4) in accordance with the quantity adsorbed and the successive heat treatments of the sample The formation of graphite lamellar compounds ot cesium produces a new transmon at 280 eV on the graphite KVV Auger peak Metallograptuc microscope pictures of the sample after deposmon and dissolution of several monolayers of cesium exhxblt a preferential diffusslon along gram boundaries of the sbustrate

La forte r~activlt~ des compos~s lamellalres de m~taux alcalms, pr6par6s par exemple par la m6thode dite du "tube g deux boules" [1 ], rend dlfficile l'observa-

tion sous ultravlde de leurs propri~t6s superficielles. Deux techniques sont actuellement utilis6es pour 6vlter la pollution de la surface

observ6e: soit le transfert en atmosph6re neutre dans l 'encemte ultravide, soit le

clivage in-situ des ¢chantillons [2]. Nous pr~sentons icl une approche dlff~rente qm consiste ~ r6aliser in-sltu quel-

ques couches d 'un compos~ lamellaire. Nous avons choisi des matCriaux du type

CsCn dont les propri6t~s de volume sont maintenant blen connues [3,4]. Cette lettre pr~sente les premiers r6sultats obtenus avec un substrat turbostratique HOPG (Union Carbide). La concentration superficlelle de cesium est mesur~e par spectros- copie Auger (analyseur cylindrique) et la structure cristalline est observ6e par dif- fraction d'~lectrons lents. Les d~p6ts de C6SlUm sont effectu~s grgce h des g~n~ra- teurs d'alcalins utilis~s pour la r6alisation industneUe de photocathodes (SAES getters). La r~duction ~ haute temp6rature (environ 1000 K) de chromate de c6sium par un alliage aluminium(16%)-zirconium(84%) est raise ~ profit pour produire un

jet de c6sium collimat6 sur l '6chantillon de graphite [5] La figure 1 pr6sente les spectres Auger. (a) du graphite avant tout traitement et

L254

M Lagues et al / Dtssolunon du Cs adsorbd sur graphtte L255

l(c) \ 280or

(b) (c)

Cs 563eV

(b) [b) (c)

Cs 47eV C 272eV

F~g. 1. Spectres Auger en mode dN(E)/dE (a) graphite propre, (b) apr~s un premier d~p6t de c6sium ~ temp6rature ambiante, (c) apr6s dissolution de c6sium en volume et nouveau d6p6t basse temp6rature (<200 K).

(b) apr6s un premier d6p6t de c6sium h temp6rature ambiante. Le rapport des am- plitudes des deux principaux pies Auger caract6ristiques du c6sium est alors Cs(47 eV)/Cs(563 eV) = 4.1.

L'6chantiUon est ensuite port6 gt une temp6rature d'environ 750 K pendant 30 min. Apr6s ce traitement thermique le c6sium disparait pratiquement de la surface de l'~chantillon, par d6sorption (non d6tect~e par spectrometric de masse) et par dissolution dans le volume. De nouveaux d6p6ts de c6sium sont ensuite effectu6s temperature ambiante. La quantit6 de c~sium mesur6e par spectroscopic Auger reste alors tr6s inf6rieure ~ celle mesur6e lors du premier d6p6t. De plus, la concen- tration d~croit r6guli6rement ~ temp6rature ambiante. Ceci est attribu6 ~ une dis- solution tr6s rapide du e~sium d6pos6, notamment via les joints de gains de l'6chan- tillon. On peut en effet n~gliger la d~sorption du c6sium h temp6rature ambiante [6,7].

Si un nouveau d6p6t est effectu~ ~ basse temp6rature (~<200 K), il est alors de nouveau stable (fig. lc). Cependant les spectres Auger obtenus pr6sentent deux dif- ferences importantes avec celui relatif au premier d6p6t (fig. lb): (i) I1 apparait une nouvelle structure Auger ~ 280 eV sur le pie KVV du graphite, caract~ristique de la forhaation d'un compos~ lameUaire darts les premieres couches du substrat [2,8]. (ii) Le rapport des amplitudes des transitions Auger Cs(47 eV)/Cs(563 eV) reste toujours inf6rieur ~ celui du premier d6p6t. II varie de 1 ~i 4 su.ivant la quantit6 de e6sium adsorb6 et les divers traitements thermiques qui suivent ee nouveau d6p6t.

La modification du rapport Cs(47 eV)/Cs(563 eV) peut avoir deux origines: soit la variation des sections effieaees Auger, li6e ~ l'6tat de liaison des atomes de c6sium, soit une contribution importante du e6sium en volume. Cette derni6re hypoth6se explique effeetivement la diminution du rapport dans la mesure o/~ la

L256 1,1 La~Ue~ et al / l ) tss(duttolt du ( s adsorbc sur g~aphtte

| lg 2. Ddtractogrdmme de l'echantlllon de graplute propre (kp = 75 V) I_es grams prdsentent des laces (0001) partaltement orlent~es montrant la bonne quallt~ turbostratlque du graphite utdlsd

profondeur d '~chappement des dlectrons de 563 eV est supdrieure fi celle des dlec- trons de 47 eV.

L 'adsorpt lon de cdslum dmlmue sensiblement le contraste des dlagrammes de diffraction d'~lectrons lents correspondants au graphite propre La dimension moyenne des grains de nos ~chantillons, estim~e ~ une centame de microns (fig. 2), ne nous a pas permis d' identlfier par Dt~L la structure de la couche adsorb~e de C~SlUm dans la gamme de temperature e \p lorde S~ l 'adsorption est locahs~e, seule une 6tude sur monocristaux permettra cette identification. Toutefoxs, pour de falbles recouvrements, des structures en halos dlffus ont ~t~ observ~es et a t t r ibutes fi une phase liquide bidunenslonnelle [9]

La figure 3 pr~sente des photographies de l '~chantlllon de graphite, prises au microscope metallographique, (a )avant tout t rai tement (b)apr~s dissolution de C~SlUm. kes joints de grams sont tr~s net tement attaqu~s et sont ainsi le si~ge d'une diffusion pr6f~rentielle du c~slum. Cette attaque conftrme la p~nCtratlon en volume et vraisemblablement la formation d 'un compos6 lamellaire du C6SlUm.

En conclusion, nous avons montr¢ qu 'd 6taxt possible de r~aliser sous ultravide des compos~s lamellaires graphl te-c~sium. Nous pensons pouvoir contr61er la con- centrat ion de c6sium dans les premieres couches graphitiques grfice h une source de flux ~talonn~ et la mesurer en utlllsant notamment le rapport des amplitudes des deux transitions Auger caract~nstlques.

M. Lagues et a l / DtssolutT"on du Cs adsorb~ sur graphtte L257

Fig. 3. Aspects du substrat de graphite vus au microscope m~taUographique (a) avant tout traitement, (b) apr6s dissolution de c6sium.

L258 M Lagues et a l / Dtssolutton du Cs adsorbe sur graphite

Nous remercions le Dr. D. Guerard, du laboratolre de chlmie min6rale apphqu6e

de l 'Universi t6 de Nancy, qui a bien voulu nous fournir les 6chanti l lons de graphite.

R6f6rences

[1] A. Herold, Bull. Soc. Chem. France (1955) 999, Compt. Rend. (Pans) 232 (1951) 838. [2] P. Pfluger, P. Oelhafen, H.U. Kunzi, R. Jeker, kJ Hauser, K.P. Ackerman, M Muller et

H.J Guntherodt, darts" Proc Intern Conf on Layered Materials and Intercalates, Nijmegen, Netherlands, 1979.

[3] D.D.L. Chung, G. Dresselhaus et M.S. Dresselhaus, Mater Scl Eng. 31 (1977) 107. [4] R. Claxke, N Caswell et S.A. Solm, Phys. Rev. Letters 42 (1977) 61. [5] S.J. Helher, Vuoto Sclenza Technologia 5 (1972) 138. [6] B. McEnaney et R. Mehew, J. Nucl. Mater 60 (1976) 177 [7] D. Chandra et J.H. Norman, J. Nucl. Mater. 62 (1976) 293 [8] P. Oelhafen, P. Pfluger et H.J. Guntherodt, Solid State Commun 32 (1979) 885. [9] J.J Lander et J. Morrlson, Surface SCL 6 (1967) 1.