Le Transistor Bipolaire en Haute Frequence

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  • 7/24/2019 Le Transistor Bipolaire en Haute Frequence

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    VIII. Etude du montage charges rparties en hautes frquences.

    Pour toute la suite, on utilisera comme exemple le schma dja dans le polycopi de cours par-

    tir de la page 6. Ce montage appel montage charge rpartie avec dcouplage d'metteur a t

    tudi en statique et en dynamique (basse frquence), et correspond au schma structurel ci

    dessous.

    +Vcc

    R1

    R2

    C1R3

    R5

    R4

    C2

    C3

    Vs

    Ve

    GND

    T1

    Rappel: Vcc=10V, R1=22k, R2=10k, R3=10k,

    R4=1k, R5=2,2k.

    C1, C2, C3 ont t calculs pour avoir une frquence

    de coupure de 50Hz pour chaque condensateur de

    liaison (C1 et C3) et de dcouplage (C2).

    1) Etude du rgime dynamique en ajoutant les condensateurs Cbe et Cbc du transistor

    (schma petits signaux).

    On remplace le transistor par son schma quivalent simplifi en HF, et on reprsente le schma

    quivalent en dynamique de l'ensemble (On passive les gnrateurs continus. on court-circuite les

    gnrateurs de tension continue, et les condensateurs de liaison et de dcouplage. On enlve les

    ventuels gnrateurs de courants continus).

    Attention: certains condensateurs C jouent un rle de filtrage ou de compensation en frquence,

    il faudra alors comparer leur frquence de coupure avec la frquence des signaux d'entre avant

    d'apporter toute simplification (circuit ouvert ou court-circuit ou prise en compte dans le calcul).

    Rappel du schma quivalent simplifi du transistor en HF.

    Schma quivalent en du transistor en metteur commun (Giacoletto). Attention: Pour le mon-tage base commune, on adopte plutt un schma quivalent appel en T (qui n'est valable qu'en

    HF).

    On ne prend en compte que les

    capacits Cbe et Cbc que l'on

    confond souvent respectivement

    avec Cib0(capacit d'entre en

    base commune) et Cob0(capacitde sortie en base commune).

    Attention le terme 1/h22 n'est pas

    toujours ngligeable (de l'ordre de

    10k 100k).

    Sur la documentation RTC du transistor 2N2222A fournie dans le cours, on peut lire

    Cc = capacit collecteur = 8pF, et Ce = capacit metteur = 25pF.

    Le modle SPICE est bas sur des valeurs typiques. Voir: BIPOLAR.LIB, dans le rpertoire

    " ORCAD \ Capture \ Library \ Pspice" utilisez l'diteur MS-DOS car le fichier est trop

    Le transistor bipolaire en haute frquence.

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    ib

    h21.ib

    h11

    B C

    E

    1/h22Cbe

    Cbc

    Schma simplifi en BF

  • 7/24/2019 Le Transistor Bipolaire en Haute Frequence

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    volumineux pour le bloc note, et recherchez la chane de caractre " Q2N2222A". Recherchez

    dans les diffrents paramtres du transistor. On trouve alors:Cjc=7,3pFet Cje= 22pF.

    Schma simplifi du montage en dynamique avec les condensateurs Cbe et Cbc.

    Si on nglige 1/h22par rapport R5 et Ru (rsistances en parallle), on obtient le schma suivant.

    h11

    ve

    ib

    R1//R2

    R3

    h21.ib

    vsR5 Ru

    ie

    Rg

    eg

    is

    0

    Cbe

    Cbc

    Dmonstration du thorme de M il ler.

    Ac reprsente l'amplification en charge: Ac= v2v1

    De mme:

    .model Q2N2222A NPN(Is=14.34f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=74.03 Bf=255.9 Ne=1.307

    + Ise=14.34f Ikf=.2847 Xtb=1.5 Br=6.092 Nc=2 Isc=0 Ikr=0 Rc=1

    + Cj c = 7 . 3 0 6 p Mjc=.3416 Vjc=.75 Fc=.5 Cj e= 22. 01pMje=.377 Vje=.75

    + Tr=46.91n Tf=411.1p Itf=.6 Vtf=1.7 Xtf=3 Rb=10)

    * National pid=19 case=TO18

    * 88-09-07 bam creation

    Le transistor bipolaire en haute frquence.

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    v1 =v 2 +Z.i1

    v1 =Z1.i1 etv 2 =A c.v1

    v1(1Ac)=Z.i1

    Donc:v 1= Z

    (1Ac).i1

    Z1= Z

    (1Ac)

    v2 =v 1 +Z.i2

    v2 =Z2.i2 etv 1 = v2

    Ac

    v21

    1

    Ac

    =Z.i2

    Donc:v 2= Z

    1

    1

    Ac

    .i2

    Z2= Z

    1

    1

    Ac

    Thorme de M il ler.

    Soit l'impdance Z place entre l'entre et la sortie d'un amplificateur dont l'amplification en

    charge est Ac. L'impdance Z peut tre remplace par 2 impdances Z1 et Z2 places res-

    pectivement l'entre (Z1) et la sortie (Z2) de l'amplificateur et telles que.

    Ac AcV1 V1V2 V2

    Z

    Z1 Z2

    i1

    i1

    i2

    i2

    Ru Ru

    Z1= Z

    (1Ac) Z2=

    Z

    1

    1

    Ac

  • 7/24/2019 Le Transistor Bipolaire en Haute Frequence

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    Aplication du thorme de Miller sur le montage charge rpartie:

    Rem: Le thorme de miller est surtout utilis pour remplacer le condensateur Cbcpar 2 conden-

    sateurs C1et C2, l'un en entre (C1= Cbc*(1-Ac)), et l'autre en sortie

    (C2= Cbc*(1-1/Ac)).

    Attention:Ac correspond ici vs/v1(v1tant h11.ib)

    Rem:Pour simplifier, il est frquent de calculer Ac = vs/v1sans les condensateurs, puis on ajouteles condensateurs pour en dduire la modification de la fonction de transfert vs/ve , mais le rsul-

    tat n'est alors qu'approch. Dans de nombreux cas la prcision obtenue est suffisante.

    vs= h21.ib.(R5//Ru) etv1= h11.ib

    On dduit: (h21=180, h11=2k, R5= 2.2k, Ru=4.7k).Ac= h21.(R5//Ru)

    h11= 135

    On obtient donc les valeurs de C1et de C2. soit1

    j.C1.=

    1

    j.Cbc.

    (1Ac)

    (avec Cbc= 7,3pF)C1= Cbc.(1Ac)= 992pF

    On remarque que lorsque l'amplification est ngative et importante, un condensateur mme de

    faible valeur, peut se reporter en entre avec une valeur beaucoup plus grande et limiter la bande

    passante de l'amplificateur (filtre RC passe bas).

    Par contre correspond quasiment Cbc

    .C2= Cbc.11

    Ac

    = 7,35pF

    Les deux condensateurs ainsi forms apportent 2 filtres de type passe bas et donc 2frquences de

    coupure. L'une correspond l'entre (condensateur Cbeen parallle avec C1, soit Cbe+C1), l'autre

    la sortie (condensateur C2).

    Ainsi: Ac total=(vsve)en charge=

    vsv1

    .v1ve=A c.

    Z

    Z+R3=A v.

    Z

    Z+R3.

    Z

    Z+R5

    ou Z' correspond la mise en parallle de h11

    avec (Cbe

    +C1) et Z" la mise en parallle de C

    2avec

    Ru. Av= vsv1

    = h21.Rh11

    Ac total= Av.1

    1+R3.1

    Z

    .1

    1+R5.1

    Z

    =Av.1

    1+R3.

    1

    h11+j.Ce.

    .1

    1+R5.1

    Ru+j.C2.

    h11

    ve v1

    ib

    R1//R2

    R3

    h21.ib

    vsR5 Ru

    ie

    Rg

    eg

    is

    0

    Cbe+C1 C2

    Le transistor bipolaire en haute frquence.

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    Ac total= Av. h11

    (h11+R3).

    1

    (1+j.(R3//h11)Ce.). Ru

    (Ru+R5).

    1

    (1+j.(Ru//R5)C2.)

    Soit en regroupant Av' avec les pont diviseur rsistif suivit des deux fonction de transfert de type

    passe bas.

    On en dduit 2 frquences de coupure: fc1= 12..(R3//h11).Ce etfc2=1

    2..(Ru//R5).C2

    fc1= 12..(10k//2k).1014pF= 94,5kHzetfc2=1

    2..(4,7k//2.2k).7,35pF= 14,5MHz

    Rsultats de simulation avec PSPICE:

    La simulation avec PSPICE

    montre que la premire fr-

    quence de coupure haute

    correspondant fc1

    est gale

    143kHz alors que le calcul ne

    donne que 94,5kHz.

    Attention:Le calcul par le tho-rme de Miller est ici approch

    puisque l'amplification en chargevarie.

    1.0h 10h 100h 1.0K h 10K h 100Kh 1.0M h

    Fr equency

    Vdb(VS )- Vdb(VE)

    50

    0

    -50

    -100

    -9db pour 51Hz

    Courbe de gain

    (143.301K,23.433)(4.0195K,26.464)

    (51.090,17.430)

    C1 =

    C2 =dif=

    3.9811K, 26.464

    51.090, 17.430 3.9300K, 9.0343

    Date/Time run: 11/19/94 11:32:10 Temperature: 27.0

    Conclusion:Malgr les approximations de calcul, les rsultats peuvent tre proche de la simula-

    tion ou de la pratique. Le calcul par le thorme de Miller est relativement pessimiste, car il sup-

    pose que l'amplification en charge est constante. Or l'amplification diminuant, la capacit ramene

    est donc plus faible, et la frquence de coupure plus leve.

    Ac total= Av. h11

    (h11+R3). Ru

    (Ru+R5).

    1

    (1+j.(R3//h11)Ce.).

    1

    (1+j.(Ru//R5)C2.)

    Le transistor bipolaire en haute frquence.

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