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Techniques de mesures en champ proche
D. BAUDRY – Septembre 2008
1
Techniques de mesures en champ proche appliquées à la
CEM
David BAUDRY
ESIGELEC/IRSEEM
Techniques de mesures en champ proche
D. BAUDRY – Septembre 2008
2
Institut de Recherche en SystInstitut de Recherche en Systèèmes mes ÉÉlectroniques Embarqulectroniques Embarquééss
� créé en 2001 avec:
- la CCI de Rouen et
- une quarantaine d’industriels des filières
� automobile,
� aéronautique/spatial
� et des secteurs de l’électronique et des télécommunications.
� Les axes de recherche s’articulent autour de 3 pôles:
�Automatique & Systèmes (contrôle et diagnostic moteur)
�Instrumentation, Informatique & Systèmes (instrumentations et systèmes, transport intelligent).
�Électronique & Systèmes (électromagnétisme, CEM et hyperfréquences)
�14 enseignants-chercheurs
�3 techniciens
�1 professeur associé
�19 doctorants
�2 stagiaires
� Une activité transversale:
transfert de technologie et développement économique local
Techniques de mesures en champ proche
D. BAUDRY – Septembre 2008
3
Techniques de mesures en champ proche
� Problématiques• Complexité des dispositifs électroniques (forte intégration et miniaturisation
des composants…)
=> risque de perturbations électromagnétiques
• Présence de câbles et connecteurs
=> Intégrité des signaux compromise
�Objectifs• Connaître le rayonnement électromagnétique dans l’environnement proche
des systèmes, cartes et composants
• Caractériser la susceptibilité locale des cartes et composants à une agression
rayonnée
�Applications• Outil de diagnostic et d’aide à la conception
• Modélisation du rayonnement des cartes et composants
Techniques de mesures en champ proche
D. BAUDRY – Septembre 2008
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Technique de mesures en champ procheChamps d’investigation des mesures électromagnétiques en champ proche
Diagnostic CEM en
émission :
• Localisation des sources de rayonnement• Maîtrise des couplages• Optimisation des blindages
Composants
Diagnostic CEM
en émission :
• Mesure des émissions conduites• Mesure des émissions rayonnées
Diagnostic CEM
en immunité :
• Rayonnée• Décharges électrostatiques
Systèmes
Modélisation
Diagnostic CEM en
immunité :
• Localisation des couplages sur une carte • Détermination des zones de faiblesses
ModélisationModélisation/simulation Modélisation/simulation
Techniques de mesures en champ proche
D. BAUDRY – Septembre 2008
5
Banc champ proche de l’IRSEEM
x
z
y
�Méthode de mesure directe utilisant des sondes électroniques� Obtention des composantes E et H en 2D et 3D
� Transposable en milieu industriel
�Synoptique :
� Robot 5 axes avec une résolution mécanique de 10µm en (x, y, z)
� Précision des 2 rotations de 0.009º
Analyseur
Réseau
Sonde
Microcontrôleur
PC
Analyseur
Spectre
Equipement de mesure
Techniques de mesures en champ proche
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6
coupleur
hybride 180°
dipôle
∆
câble coaxial
Sonde de mesure des
composantes tangentielles du
champ électrique (EPXY)
Sonde de mesure de la
composante normale du
champ électrique (EPZ)
Sonde diamètre de l’âme
centrale (µm)
EPZ1 510
EPZ2 280
EPZ3 100
Sondes disponibles : mesure de champ électrique
Techniques de mesures en champ proche
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7
Sondes disponibles : mesure de champ magnétique
coupleur
hybride 180°
boucle
∆
câble coaxial
Sondes de mesure du champ
magnétique (HXYZ)
Boucles de différentes surfaces et de
nombre de spires différent, utilisables
selon l’application
Techniques de mesures en champ proche
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8
Mesure avec l’analyseur de réseau
Analyseur de réseau
vectoriel
PC
Sonde champ
magnétique
SelfQuartz
Signal de
référence
Configuration de test pour les
éléments actifs
Analyseur de réseau
vectoriel
PC
Sonde champ
magnétique
Self
Configuration de test pour les
éléments passifs
Difficulté: Récupération de la phase du champ rayonné par un dispositif sans lui injecter de puissance extérieure à la carte
Pour modéliser, nous avons besoin de disposer de l’amplitude et de la phase du champ rayonné à une certaine distance au-dessus du composant
Techniques de mesures en champ proche
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CEM des composants: Mesure des émissions rayonnées
� Norme IEC 61967-3 : méthode de
balayage en champ proche.
� Applications :
� Étude de l’activité interne du
composant
� Connaissance de la topologie
électromagnétique
� Comparatif des niveaux d’émissions de
différents composants
-10 0 10
-10
0
10
x (mm)
y (
mm
)
-60
-50
-40
-30
-10 0 10
-10
0
10
x (mm)
y (
mm
)
-60
-50
-40
-30
-10 0 10
-10
0
10
x (mm)
y (
mm
)
-60
-50
-40
-30
H
(dBA/m)
Hx Hy
Hxy
broches
d’alimentation
(VDD et VSS)
Mesure des émissions rayonnées d’un microcontrôleur
Composantes tangentielles de l’excitation magnétique
boitierpuce
Fil de bondingbroche
Circuit intégré
Techniques de mesures en champ proche
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Immunité en champ proche (1)
Robot 3 axes
Synoptique du banc champ proche utilisé en immunité
Synthétiseur, Amplificateur, Oscilloscope
Sonde simple spire r=3mm
Composant
� Fort intérêt des industriels pour ce domaine
� Caractérisation de la susceptibilité des composants en utilisant un banc champ proche
Techniques de mesures en champ proche
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Immunité en champ proche (2)
Objectifs :
Localisation des composants sensibles à des perturbations extérieures
Adaptation du banc de mesures champs proches pour effectuer des tests en immunité
� Etude de deux versions
d’un émetteur RF
� Perturbation locale à
l’aide d’une sonde de
champ électrique entre
1 et 2GHz
� Dysfonctionnement se
traduisant par un
décalage de la
fréquence de
fonctionnementCarte II-A
∆ƒ∆ƒ∆ƒ∆ƒ(kHz)
Carte I-A
1.12GHz 1.8GHz∆∆∆∆ƒƒƒƒ(kHz)
Carte II-B
∆ƒ∆ƒ∆ƒ∆ƒ(kHz)
Carte I-B
Techniques de mesures en champ proche
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Immunité en champ proche (3)
� Agression locale d’un inverseur pour deux orientations de la sonde: Pinjectée=1W, f=1.2 GHz
-15 -10 -5 0 5 10 15
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
5
x(mm)
y(m
m)
Y Orientation
-15 -10 -5 0 5 10 15
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
5
x(mm)
y(m
m)
X Orientation
(a) (b)
défaut
I O
VDD
Cartographie de la susceptibilité de l’inverseur
Orientation de la boucle Orientation de la boucle
Techniques de mesures en champ proche
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Modélisation
Techniques de mesures en champ proche
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Post-traitement des mesures en champ proche (1/3)
� Objectifs: calcul des trois composantes du champ magnétique dans différents plans àpartir de 2 mesures du champ magnétique en champ proche
� Utilisation de la théorie du spectre d’ondes planes:
Mesures de Hx, ,Hy dans le
plan z=0
Calcul de Fx, Fy et Fz à z=0
Calcul de Fx, Fy et Fz à z=d
Estimation de Hx, ,Hy et Hz
à z=d
z=d
Circuit testé
Champ calculé
Champ mesuré
z=0
Estimation de
Hz à z=0
x
y
z
Calcul du champ magnétique en utilisant la théorie du spectre d’ondes planes
( ) yx
.
2dk dk ),(
4
1,, rkj
yx ekkFzyxHrr
−∞
∞−
∞
∞−∫ ∫=π
( ) [ ] yx
)(
2dk dk ),(
4
1,,
ykxkjzjk
yxyxz eekkFzyxH
+−∞
∞−
∞
∞−
−∫ ∫=π
z
yyxx
zk
kkFkkFkF
).().()(
+−=
djk
zdz
zekFkF−
===
0)()(rr
Techniques de mesures en champ proche
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Post-traitement des mesures en champ proche (2/3)
� Circuit testé: � Oscillateur (quartz + inverseurs)
� f=40 MHz
(a) (b)
(a) Mesures à 2mm, (b) Hz calculé par le spectre d’ondes planes à 2mm.
Techniques de mesures en champ proche
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Post-traitement des mesures en champ proche (3/3)
Champ magnétique mesuré et calculé à 50mm
Variation du maximum du champ magnétique jusqu’à 0,5m
Techniques de mesures en champ proche
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Modélisation des émissions rayonnées
� Obtention des sources responsables du rayonnement du composant pour calculer le champ magnétique à différentes distances au-dessus du composant
� Possibilité de modéliser des circuits intégrés et des cartes en 2D (plan XY)
� Modèle basé sur un réseau de dipôles équivalents
∆ℓ
θ1θ2
θ3 θ4
Champ rayonné
Dispositif à modéliser Réseau de dipôles
Techniques de mesures en champ proche
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Modèle basé sur des dipôles électriques
� Equations du rayonnement d’un dipôle
( ) ( ) ( )2
0
2
0
2
0 zzyyxxR −+−+−=avec
Inconnues: I0 et θ
( ) ( )rArH ×∇=0
1
µ
∑
∑=
=
i
iyijiyj
i
ixijixj
IH
IH
θα
θα
cos
sin
0
0i: points sources
j: points de
mesure
( )
( )
( ) ( )
[ ]θαθα
θω
θω
π
θαθω
π
θαθω
π
cossin
cossin4
os cos4
sin sin4
210
0000
2
0
000
2
0
000
2
0
⋅+⋅⋅=
⋅
−+
−+⋅
−+
−−∆=
⋅=⋅
−+
−∆
−=
⋅=⋅
−+
−∆=
−
−
−
zz
jkR
z
y
jkR
y
x
jkR
x
I
c
yyj
R
yy
c
xxj
R
xx
R
eIH
cIc
zzj
R
zz
R
eIH
Ic
zzj
R
zz
R
eIH
l
l
l
Champ magnétique mesuré Calculé
z
x
y
r
'r
∆l
R
θ
Techniques de mesures en champ proche
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Modèle basé sur des dipôles électriques� Construction d’un modèle d’émission rayonnée du composant basé sur des sources
équivalentes déterminées à partir de mesure champ proche.
� Positionnement manuel des sources sur les maxima de champ magnétique.
� Courants déterminés par itérations successives.
Modélisation des émissions rayonnées d’un microcontrôleur
Mesures
Modèle d’émission
-20 -10 0 10 20
-20
-10
0
10
20
Hx mesurée
-60
-50
-40
-30
-20
-20 -10 0 10 20
-20
-10
0
10
20
Hy mesurée
-60
-50
-40
-30
-20
-20 -10 0 10 20
-20
-10
0
10
20
Hxy mesurée
-60
-50
-40
-30
-20
-20 -10 0 10 20
-20
-10
0
10
20
Hx simulée
-60
-50
-40
-30
-20
-20 -10 0 10 20
-20
-10
0
10
20
Hy simulée
-60
-50
-40
-30
-20
-20 -10 0 10 20
-20
-10
0
10
20
Hxy simulée
-60
-50
-40
-30
-20
dBA/m
dBA/m
x (mm)
y (mm)
ligne de courant équivalente
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Modèle basé sur des dipôles électriques Implémentation du modèle dans un code 3D
� Objectif : implémentation du modèle dans un code 3D pour étudier les couplages avec des pistes voisines.
� Utilisation du logiciel CST Microwave Studio 2006 (Technique d’intégration finie).
Réseau de dipôle simulé
Techniques de mesures en champ proche
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21
Modèle basé sur des dipôles électriquesComparaisons
Hx modèle
-20 -10 0 10 20
-20
-10
0
10
20 -60
-50
-40
-30
-20
Hy modèle
-20 -10 0 10 20
-20
-10
0
10
20 -60
-50
-40
-30
-20
Hxy modèle
-20 -10 0 10 20
-20
-10
0
10
20 -60
-50
-40
-30
-20
Hx simulation
-20 -10 0 10 20
-20
-10
0
10
20 -60
-50
-40
-30
-20
Hy simulation
-20 -10 0 10 20
-20
-10
0
10
20 -60
-50
-40
-30
-20
Hxy simulation
-20 -10 0 10 20
-20
-10
0
10
20 -60
-50
-40
-30
-20
Modèle
Outil de simulationélectromagnétique 3D
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Modèle basé sur des dipôles électriquesValidation
� Mesure de la composante Hz à une hauteur de 5 mm au-dessus du composant
� Comparaisons mesure / modèle / outil de simulation 3D
Hz mesure
-20 -10 0 10 20
-20
-10
0
10
20 -70
-65
-60
-55
-50
-45
-40Hz modèle
-20 -10 0 10 20
-20
-10
0
10
20 -70
-65
-60
-55
-50
-45
-40Hz simulation
-20 -10 0 10 20
-20
-10
0
10
20 -70
-65
-60
-55
-50
-45
-40 dBA/m
y
(mm)
x (mm)
(a) (b) (c)
Mesure Modèle Outil de simulationélectromagnétique 3D
Techniques de mesures en champ proche
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CEM Système: Modélisation d’une carte de puissance (1)H
(dB
A/m
)
Champ magnétique mesuré au-dessus d’une carte de puissance� fréquence : 1 MHz
� Mesure des 3 composantes du champ magnétique
0.0496 (0, 0, -1)(145, 10, 12)6
0.1359 (0, 0, 1)(160, 45, 15)5
-0.1240(0, -1, 0)(170, 35, 13)4
0.0054 (0, 1, 0)(105, 20, 8)3
-0.3865 (0, 1, 0)(215, 55, 10)2
-0.0141 (0, 1, 0)(215,35,10)1
Moment of the
Magnetic Dipole
x1.0e-006 (A.m2)Imposed Orientation of the
Moment
Position
(mm)
Magnetic
Dipole
Techniques de mesures en champ proche
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CEM Système: Modélisation d’une carte de puissance (2)
Hx (dBA/m)Mesure
Modèle
Hy (dBA/m)Mesure
Modèle
Hz (dBA/m)Mesure
Modèle
Techniques de mesures en champ proche
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Conclusion
� La détermination des cartographies des différentes composantes
électromagnétiques permet
� La localisation des sources de rayonnement dans des systèmes
électroniques
� L’obtention de modèles d’émissions rayonnées de composants et
cartes, qui permettent de simuler l’ensemble du système et prévoir ainsi
les émissions électromagnétiques
� Les cartographies en susceptibilité permettent de localiser les zones
sensibles à des perturbations rayonnées