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Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts générés par irradiation dans les verres de silice par Nicolas Richard CEA-DAM-DIF [email protected] 27 NOVEMBRE 2015

Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

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Page 1: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts générés

par irradiation dans les verres de silice

par

Nicolas Richard CEA-DAM-DIF

[email protected]

27 NOVEMBRE 2015

Page 2: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

Plan de l’exposé

PROBLEMATIQUE : EFFETS DES RADIATIONS DANS LES MATÉRIAUX

OBJET D’ETUDE : LES FIBRES OPTIQUES EN ENVIRONNEMENT RADIATIF

NOTRE APPROCHE

LES CALCULS DITS « AB INITIO »

4 EXEMPLES D’APPLICATIONS

CONCLUSION

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Page 3: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

Problématique

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Page 4: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

27 NOVEMBRE 2015

Modification/Création de défauts ponctuels

à l’échelle atomique

Modification de la réponse

macroscopique du matériau

Matériau

+

Les particules radiatives créent des défauts ponctuels ou activent des défauts pré-existants.

Défauts générés durant le processus de fabrication

Défauts créés par déplacement

Défaut activé : piège de charge

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Effets des radiations dans les matériaux

Défaut activé : piège de charge

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Objet d’étude: les Fibres Optiques en environnement radiatif

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CEA | 10 AVRIL 2012

Page 6: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

Les Fibres optiques en environnement radiatif

Coating Gaine optique

Cœur

Silice amorphe pure ou dopée Ge P

F Cl Les atouts des FOs en environnement nucléaire : 1.  Immunité électromagnétique

2.  Grande bande passante / multiplexage

3.  Faible atténuation linéique

4.  Faible volume & poids

5.  Résistantes aux hautes températures

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Dopage

Page 7: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

Les Fibres optiques en environnement radiatif

Malgré tout, les propriétés des fibres optiques à base de silice sont affectées par les radiations :

Trois mécanismes de dégradation sous irradiation identifiés à l’échelle macroscopique:

1.  Radiation-Induced Attenuation (RIA) diminue l’efficacité de transmission de la fibre.

2.  Radiation-Induced Emission (RIE) diminue le rapport signal sur bruit.

3.  La compaction change l’indice de réfraction (pour les très grandes fluences de particules et les hautes doses).

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Création de défauts ponctuels dans la matrice de silice

Page 8: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

Les Fibres optiques en environnement radiatif

Les propriétés optiques et énergétiques de ces défauts ponctuels expliquent la réponse des fibres optiques sous irradiation. Ils sont intensivement étudiés expérimentalement depuis une cinquantaine d’année.

L. Skuja; NATO Book Chapter, 2000 PAGE 8

STH1 STH2

POR NBOHC E'

ODC

Energy (eV)

Griscom D.L. SPIE vol. 541, 1985

Page 9: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

Mais, l’attribution expérimentale des bandes d’absorption/photoluminescence à une structure de défaut reste complexe et nécessite de nombreux moyens expérimentaux.

Les Fibres optiques en environnement radiatif

RPE

Luminescence

NBOHC

De plus, chacun des moyens expérimentaux possède des

limitations intrinsèques, rendant difficile une caractérisation.

Ex. : RPE = défauts paramagnétiques uniquement.

Enfin, les FOs sont des objets industriels. Il est donc difficile de contrôler la composition et le processus de fabrication des FOs et par conséquent leur réponse sous irradiation.

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Absorption

Chaque paramètre intrinsèque ou extrinsèque de la fibre ou du verre étudié, qui affectera la concentration ou les propriétés de ces défauts va affecter la réponse de la fibre.

Page 10: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

Notre approche

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Page 11: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

Notre approche

•  Coupler expériences et simulations afin de maîtriser les paramètres pouvant influer sur la réponse de la fibre,

•  Pour cela, développement d’échantillons canoniques fabriqués « sur mesure ». Ces échantillons canoniques consistent en un jeu de préformes et de fibres. Certains sont fabriqués pour pouvoir correspondre aux concentrations des supercellules simulées.

PAGE 11

Page 12: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

In situ Irradiation

X pulsé Sources 60Co

Neutrons Rayons X, Laser

Mesure Absorption (RIA) et Emission (RIE) induite

Calculs ab initio DFT, GW, BSE

Structure Propriétés d’énergie et électronique,

optiques et spectroscopiques

Calculs Macros. Modèle continu

Transmission de la lumière en fonction des paramètres de la fibre

Expérience

Simulation

Post mortem Techniques de spectroscopie

Absorption (résolue spatialement) Luminescence (résolue spatialement ou

temporellement) RPE

Raman Analyse Chimique

Cathodoluminescence

Caractérisation des défauts et de leur processus de génération

et si besoin, proposition de méthodes

pour les éliminer afin d’aider à la résistance aux radiations

(durcissement)

Préformes et fibres canoniques

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Notre approche

Page 13: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

Les calculs dits « ab initio »

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Page 14: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

Les calculs ab initio dans le multi-échelle

•  Ab initio (ou « depuis les premiers principes) : opposé d’empirique = qui repose sur des lois physiques de base et établies sans postulats additionnels ou modèles spéciaux = ne dépend à priori que du Z de l’élément. MACRO

10-10

Ǻ 10-9

nm 10-6

µm 10-3

mm

Dynamique moléculaire

Modèle continue

Méthodes à gros grains – Modèles sur réseau

Temps (s)

Ab initio Structure

électronique qq. ps – centaines

d’atomes

10-8 10-7 10-5

Taille (m)

10-4

fs 10-15

ps 10-12

ns 10-9

µs 10-6

ms 10-3

s 100

MESO

ECHELLE ATOMIQUE

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Page 15: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

Le matériau à l’échelle atomique = M noyaux et N électrons en interactions

Silice

Positions des électrons

Fonction d’onde du système

Energie totale du système Hamiltonien à plusieurs corps indépendant du temps

Positions des noyaux

Mémento : L’Hamiltonien est un operateur représentant l’énergie des électrons and des noyaux dans un système atomique

On doit résoudre l’équation de Schrödinger indépendante du temps :

Ab-initio: description de la matière

PAGE 15

Page 16: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

La Théorie de la Fonctionnelle de la densité (DFT)

"   La plupart de nos calculs ont été réalisés dans le cadre de la Théorie de la Fonctionnelle de la Densité (DFT) en résolvant de façon autocohérente le système d’équations de Kohn-Sham.

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Potentiel ionique Potentiel d’échange

et corrélation

Potentiel Coulombien

Valeurs propres de Kohn-Sham

Fonctions propres de Kohn-Sham à 1 électron

"   Idée : Toute la physique à plus de 1 particule est mise dans le terme d’échange-corrélation.

"   On utilise une approximation de type LDA ou GGA pour décrire la fonctionnelle d’échange et de corrélation .

"   Cette théorie a prouvé sa robustesse depuis 20 ans pour le calcul des propriétés de structure atomique et d’énergie totale des matériaux.

"   On utilise des calculs à cellule périodique, des bases d’ondes planes pour représenter les orbitales atomiques et des pseudopotentiels pour décrire les atomes et les électrons les plus proches du noyau ne participant pas à la liaison chimique.

Page 17: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

Un observable d’intérêt du défaut : la signature de Résonance Paramagnétique Electronique

Un Hamiltonien effectif peut être obtenu à partir du spectre expérimentale afin d’extraire les paramètres RPE :

où sont les tenseurs hyperfins (dans la silice vient principalement de 29Si, l=1/2) et est le tenseur g ou facteur de Landé

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B=0 B≠0

Effet Zeeman

Pour les défauts paramagnétiques, les électrons non appariés vont absorber, puis réémettre l'énergie d'un rayonnement électromagnétique lorsqu'ils sont placés dans un champ magnétique.

Sensible à la géométrie locale et à la structure

électronique

Page 18: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

Il est possible de calculer les paramètres RPE à partir de la DFT en introduisant un Hamilonien de Pauli

Zeeman et ZKE Spin-orbite où et

Densité de spin : la région de cœur est nécessaire

sont les matrices de Pauli

Contact de Fermi

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Pour cela, on doit passer par une méthode nommé GIPAW (Gauge Including Projector Augmented Wave) pour décrire les atomes.

RPE expérimentale et théorique de défauts à spin 1/2

GIPAW, Pickard and Mauri, PRL 88, 086403 (2002). PAW, Blöchl and V.d. Walle, PRB 47, 4244 (1993).

Page 19: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

Opérateur ciseau pour corriger le gap et retrouver le gap exp.

PAS DE JUSTIFICATION PHYSIQUE

"   Par contre, dès qu’il s’agit de calculer les propriétés de structure électronique des isolants et des semiconducteurs, la DFT échoue et sous-estime la valeur de la bande interdite (« gap ») à cause de la mauvaise description du terme d’échange corrélation.

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Une limite de la DFT

Limite le calcul des propriétés électroniques et optiques

Page 20: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

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"   Idée : Mieux traiter le problème à plusieurs corps contenu dans le terme d’échange corrélation en prenant en compte les excitations électroniques.

En utilisant l’approximation GW,

on reproduit des excitations chargées

Etat Fondamental

Vide

DFT

Excitation Chargé

GW

Au-delà de la DFT :Méthodes de perturbation à plusieurs corps

"   Problème : Calculs très lourds (facteur 80 pour le calcul de la bande interdite), code encore en développement ou difficile d’accès…

Page 21: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

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DFT : Equations de Kohn-Sham

GW : Equation de Dyson pour les quasi-particules

GW : voir L. Hedin et S. Lundqvist, Solid State Phys., 23, 1 (1969)

Au-delà de la DFT :Méthodes de perturbation à plusieurs corps

Opérateur self-énergie

"   Quasi particule = particule + le nuage de charge se déplaçant avec elle

"   Σ est la self-énergie avec εquasi-particle-εparticle nue =Σ

"   Σ peut être développée sous forme de fonctions de Green :

Au 1er ordre : Σ≈iG1W Approximation GW

où G1 est la fonction de Green à une particule et W le potentiel Coulombien écranté W=ε-1*v avec ε la fonction diélectrique microscopique et v le potentiel Coulombien.

"   Les calculs DFT sont souvent de bon point de départ pour le calcul GW.

Energie de quasi-particules

Fct. D’onde de quasi-particules

Page 22: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

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⇒ Bonne estimation de la bande interdite.

Au-delà de la DFT :Méthodes de perturbation à plusieurs corps

M. van Schilfgaarde et al. ,Phys. Rev. Lett. 96, 226402 (2006).

Page 23: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

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"   Résolution de l’équation de Bethe-Salpeter

Necessaire d’obtenir la fonction de Green à deux particules

trou

électron

Exciton (état lié e--trou)

On introduit alors l’équation de Bethe-Salpeter (BSE) qui décrit l’état lié d’un système quantique à deux particules. On obtient alors la partie imaiginaire de la fonction diélectrique.

Pour obtenir spectre optique, on doit reproduire les excitations neutres

(r1,t1)

(r2,t2)

Au-delà de la DFT :Méthodes de perturbation à plusieurs corps

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Génération et description du verre de silice

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Page 25: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

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Dynamique moléculaire*

BSE GW

Un atome de Si substitué par un atome de Ge

a-SiO2 dopé - 2,8mol% Ge

Propriétés de Structure

+ Fonctions d’onde

Propriétés électroniques

Propriétés Optiques

(absorption)

Génération d’une cellule de silice amorphe pure 108 atomes (36 Si + 72 O)

Fusion

Trempe

SiO2 – β-cristobalite Supercellule de 108 atomes

Potentiel BKS Vitesse de trempe : 2.6 1013 K/s

ww.quantum-espresso.org ww.sax-project.org

Structure désordonnée : sites non équivalents

Nécessité de faire des études statistiques

a-SiO2

*L. Martin-Samos et al., Phys. Rev. B 71 (2005) 014116

RPE

GIPAW

a-SiO2 dopé - 5,6mol% Ge

Génération d’échantillons amorphes et de défauts en ab initio

PAGE 25 © A. Alessi (Univ. Palermo) © S. Girard (Univ. De St Etienne)

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1er exemple la lacune neutre d’oxygène

ODC(I)

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Page 27: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

Etat de l’art expérimental

Skuja et. al, Laser-Induced Damage in Optical Materials, SPIE Vol. 4347 (2001) PAGE 27

Page 28: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

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Si SiO2 (36 Si+ 72 O)

72 SiODC(I)s

Ge

144 GeODC(I)s

Si

L. Martin-Samos et al., Phys. Rev. B 71 (2005) 014116 N. Richard et al., JNCS, 357 (2011) 1994

36 SiO2 dopée Ge

Génération des configurations ODC(I)

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L’environnement entourant la lacune

influence sa structure

Dispersion importante

Page 29: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

EODC: énergie du système contenant le défaut Eps est l’énergie de la cellule de silice pure ou dopée Ge sans défaut. EO2 est l’énergie associée à la molécule de O2 dans son état triplet.

Si-ODC: de 5.0 à 6.4 eV

moyenne 5.76 ± 0.29 eV

Ge-ODCs de 3.5 à 4.9 eV

moyenne 4.22 ± 0.27 eV

Le dopage au Germanium facilite

la création de la lacune d’oxygène

En bon accord avec les observations expérimentales

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Calcul de l’énergie de formation

Page 30: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

L’énergie de formation des Si-ODC est corrélée avec la distance Si-Si

En accord avec des calculs ab initio de la littérature

L’énergie de formation des Si-ODC est corrélée à la contrainte locale

avant la formation du défaut

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Corrélation

Page 31: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

N. Richard et al., JPCM, 25 (2013) 335502.

O Si Ge

SiODC(I)

GeODC(I)

Propriétés électroniques

GW corrige la DFT 9.3 eV

Sous-estimation de la valeur due à la DFT

5.3 eV

Valeur Exp.

a b c

a’ a’ c’ d’ a’’

O

9.3 eV

10.7 eV

10.9 eV

0.9 eV 0.4 eV

9.2 eV

10.2 eV

10.8 eV 10.5 eV

a’’

Page 32: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

Exp.: L. Skuja, J. of Non-Cryst. Solids 239 (1998) 16 – Absorption Band : 7.6 eV; FWMH : 0.6 eV

Absorption optique du SiODC(I)

N. Richard et al., JPCM, 25 (2013) 335502.

E Te = 6.92 eV f(r) = 2.10-3

F and G Te = 7.54 and 7.67 eV f(r) = 8.10-2 and 7.10-2

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Page 33: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

27 NOVEMBRE 2015 27 NOVEMBRE 2015 Exp.: A. Trukhin et al., J. Non-Cryst. Solids 324 (2003) 21 – a broad band between 7.5 and 8.5 eV N. Richard et al., JPCM, 25 (2013) 335502.

E’ Te = 7.12 eV f(r) = 2.10-2

H’ 7.5 <Te < 9 eV

1.10-4 < f(r) < 4.10-2

G’ Te = 7.69 eV f(r) = 1.10-2

Absorption optique du GeODC(I)

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Page 34: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

2ème exemple le centre ODC(II)

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Page 35: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

Skuja et. al, Laser-Induced Damage in Optical Materials, SPIE Vol. 4347 (2001) PAGE 35

Etat de l’art expérimental

Page 36: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

Exp. : L. Skuja, J. of Non-Cryst. Solids 149 (1992) 77

SiODC(II)

a b C

C

C Te = 5.08 eV

f(r) = 0.11

Exp. Te = 5.0 eV f(r) = 0.15

D

D Te = 5.49 eV f(r) = 1.10-3

D

CB

VB

9.42 eV

a : 2.51 eV

b : 9.48 eV

C D

0

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Page 37: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

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Exp. : L. Skuja, J. of Non-Cryst. Solids 149 (1992) 77; H. Hosono et al., PRB 46 (1992) 11 445.

GeODC(II)

CB

VB

9.41 eV

b : 1.69 eV

c : 9.21 eV

0

a c D E

b

a : 0.31 eV

D Te = 5.12 eV

f(r) = 0.08

Exp. Te = 5.1 eV

f(r) = 0.03-0.07

E Te = 6.25 eV f(r) = 1.10-3

D

D E E F

F Te = 7.55 eV f(r) = 1.10-3

F

F

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Page 38: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

3ème exemple les lacunes d’oxygène chargées

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Page 39: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

PAGE 39

Les centre Eʹ′ dans la silice amorphe pure par RPE

Modèles proposées expérimentalement pour les lacunes Eʹ′ dans la silice pure :

Griscom, Nucl. Inst. & Methods B1, 481 (1984). Buscarino et al. Phys. Rev. Lett 97, 135502 (2006). Jivanescu et al. Phys. Rev. B 83, 094118 (2011). Configurations obtenues après relaxation en chargeant positivement de lacunes d’oxygène (SiODC(I)):

Dimère Puckered 4x Puckered 5x Unpuckered

Foward-Oriented Uchino et al PRB 74, 125203 (2006); PRL 84, 1475 (2000).

? ?

Dimère V(SiO4+) V(O4

+)

Page 40: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

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Modèle g1 g2 g3 Aiso (mT) dimère 2,0020 2,0024 2,0029 -10,7 [1]

puckered 2,0019 2,0006 2,0002 -41,1 [1] FO 2,0019 2,0010 1,9994 -47,8 [1] Eʹ′δ 2,0018 2,0021 2,0021 10 [2] Eʹ′γ 2,0018 2,0006 2,0003 42 [2] Eʹ′α 2,0018 2,0009 1,9997 49 [3]

[1] L. Giacomazzi et al., PRB 90, 014108 (2014). [2] D.L. Griscom et al, Phys. Rev. B 34,7524-7533 (1986). [3] G. Buscarino et al., Phys. Rev. Lett. 97, 135502 (2006)

CONFIRMATION E’γ = un e- non apparié d’un atome de silicium tri-coordiné (sp3).

E’α n’est pas issue d’une structure puckered mais FO soit un oxygène tri-coordiné et un silicium tri-coordiné.

E’δ n’est pas issue d’une configuration dimère. Aucun défaut expérimentalement ne présente d’aussi grande valeur de g.

Foward-Oriented

Signature RPE des centres E’

Page 41: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

4ème exemple : Vers un modèle thermodynamique des

défauts dans la silice

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Page 42: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

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Vers un modèle thermodynamique des défauts dans la silice

En calculant l’énergie totale de chacune des configurations de défauts et en évaluant les barrières d’énergie entre chacune de ces configurations, nous pouvons aider les expérimentateurs à comprendre la relation des structures les unes avec les autres.

Barrières calculées en DFT par la méthode Nugded Elastic Band (NEB)

Page 43: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

Conclusion

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Page 44: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

Conclusion

DFT, GW-BSE, KMC

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"   Les méthodes ab initio sont aujourd’hui assez mûres pour apporter des connaissances pour des systèmes complexes et « réalistes ».

"   Les codes DFT sont facilement disponibles (ABINIT, Quantum-Espresso, VASP…) et marchent rapidement en production.

"   Les codes GW/BSE sont plus compliqués à maitriser et de nombreuses parties sont encore en développement.

"   Pour le calcul des défauts dans les verres, le calcul ab initio permet de caractériser les configurations de défauts au travers de :

"  leurs propriétés d’énergie, "  leurs structures atomiques, "  leur propriétés optiques, "  leur signatures RPE (défauts paramagnétiques).

"   Ils permettent donc d’assigner une structure atomique à une signature spectroscopique et de répondre directement à des questions que se posent les expérimentateurs.

"   Notre démarche couplée simulations/expériences a permis d’avancer sur la compréhension du comportement des verres de silice et des fibres optiques sous irradiations.

Page 45: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

Remerciements

DFT, GW-BSE, KMC

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Tous ces résultats ont été obtenues dans le cadre de l’Equipe de Recherche Commune entre le CEA-DAM-DIF et le Laboratoire Hubert Curien de l’université de Saint-Etienne et d’une collaboration avec le CNR-IOM de Trieste (Italie), l’Université de Nova Gorica (Slovenie) et l’Université de Palerme (Italie).

Pour les calculs ab initio :

"   Layla Martin-Samos et Blaž Winkler (Université de Nova Gorica, Nova Gorica, Slovénie).

"   Luigi Giacomazzi (CNR-IOM, Trieste, Italie).

Pour la partie expérimentale:

"   Sylvain Girard, Aziz Boukenter, Youcef Ouerdane, Diego Di Francesca, Antonino Alessi (Laboratoire Hubert Curien, Université de Saint-Etienne, Saint-Etienne).

"   Marco Cannas, Simonpietro Agnello (Université de Palerme, Palerme, Italie).

Page 46: Apport de la simulation ab initio à la caractérisation des défauts

Merci de votre attention

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