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Atelier Atelier « Contamination » « Contamination » Giens, Journées de l’IM2NP, 11-12 mai 2010

Atelier « Contamination »

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Atelier « Contamination ». Giens, Journées de l’IM2NP, 11-12 mai 2010. Des contaminants. … dans les matériaux semi-conducteurs et isolants … problématique ancienne qui fut « bloquante » dans l’industrie du MOS (Na, K) Dopants : B, As, P, In + association dopant-défauts, dopant-contaminant… - PowerPoint PPT Presentation

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Page 1: Atelier « Contamination »

Atelier Atelier « Contamination »« Contamination »

Giens, Journées de l’IM2NP, 11-12 mai 2010

Page 2: Atelier « Contamination »

Des contaminantsDes contaminants… dans les matériaux semi-conducteurs et isolants … problématique ancienne qui fut « bloquante » dans l’industrie du MOS (Na, K)

Dopants: B, As, P, In + association dopant-défauts, dopant-contaminant…

Organiques (COV – Composés Organiques Volatiles

Inorganiques• métaux et leurs contaminants (soufre…)• carbone, oxygène, complexes

Eléments radioactifs (émetteurs , traces <ppb

Acides / Bases + … tout ce qui n’est pas attendu

Page 3: Atelier « Contamination »

Des contaminantsDes contaminants

Liste de contaminants établie lors du projet CIM-Conta (2005-2009)

Page 4: Atelier « Contamination »

Des contaminantsDes contaminants

Page 5: Atelier « Contamination »

Des effets et des étudesDes effets et des études

Industriels : perte de rendement , de performances Identification des étapes sensibles du procédé de fab.

et des causes de la contamination Limitations des contaminations lors du procédé de fab. Effets sur le procédé de fabrication (délaminage,

masques…)

Physiques : précipités, défauts, complexes, procédés Contrôle de la contamination

- Nettoyage (surfaces) - Piégeage et « gettering » (étape de décontamination + piège à demeure sur site)

- Barrières Etude sur les matériaux et les structures

(multicouches…)

Page 6: Atelier « Contamination »

Electriques

Effets sur le fonctionnement du dispositif final (instabilités, décalages en tension)

Etudes statistiques (proportion de cellules défectueuses, claquages…)

Etude sur les dispositifs (vieillissement accéléré)

Des effets et des étudesDes effets et des études

Page 7: Atelier « Contamination »

Des Techniques nombreusesDes Techniques nombreuses Caractérisation des contaminants dans le matériau:

Détection de présence Caractérisation de leur mobilité dans le matériau Réaction /précipitation dans le matériau (défauts étendus, interf.) Contraintes Propriétés mécaniques pour le procédé (adhésion des couches…)

Techniques de caractérisation physico-chimiques (détection /quantification)

surface STM, AES, MEIS, XPS, AFM magnétique, AFM électrique, LEED/RHEED, TXRF, VPD-ICPMS… Interfaces STM, AES, SAT, TEM, AFM magnétique, AFM électrique…

Volume SIMS, TOF-SIMS, D-SIMS, DLTS, RBS, SAT, TEM, XRD, FIM, EDMR

Techniques de caractérisation électrique (matériau / fonction. Dispo.) Durées de vie: voir tableau ci-joint… + Micro PCD Mobilité électronique : Piégeage de charges: décalages C-V, I-V Claquage d’oxydes: statistiques Vieillissement prématuré: cinétiques de vieillissement

Page 8: Atelier « Contamination »

Techniques de durée de vieTechniques de durée de vie

Technique Acronym Excitation MeasurementPhotoConductive Decay PCD Optical pulse Conductivity

Time of Flight Drift Mobility TFDM Optical pulse Current transient

Short Circuit Current Decay Open Circuit Voltage Decay

SCCD

OCVD

Optical pulse I or V in a PN junction

Photoluminescence Decay PD Optical pulse Light emitted

Surface PhotoVoltage SPV Optical flux MOS Surface Voltage

Electron Beam Induced Current EBIC Electron Beam Current Junction

Reverse Recovery RR Electrical pulse PN diode current

Open Circuit Voltage Decay OCVD Electrical switch Diode voltage decay

Pulsed MOS capacitor ZERBST method Electrical pulse MOS capacitance

Gate-Controlled Diode GCD Electrical pulse on Gate

Drain/Bulk PN junction Current

Page 9: Atelier « Contamination »

Ambition du projet: Caractériser et quantifier l’impact des contaminants métalliques sur les performances électriques des circuits

Porteur: ST Microelectronics

Objectifs du développement• Etablir la relation entre contamination contrôlée et les performances des composants

• Modéliser le comportement des contaminants métalliques au cours du procédé

• Explorer de nouvelles techniques de caractérisation permettant d’adresser les besoins analytiques des technologies hétérogènes embarquées.

• Améliorer les procédures de nettoyage dans le but de minimiser la contamination apportée par les

• Équipements

• Maitriser les méthodes de contamination sur plaquettes

Le projet COMETLe projet COMET

Page 10: Atelier « Contamination »

Le projet COMETLe projet COMET

Moyens mis en œuvre vis-à-vis de la difficultéscientifique (non-exhaustif) - Techniques d’analyses de surface VPD associé à ICPMS, TOF-SIMS, D-SIMS - Techniques d’identification de contaminants dans le volume DLTS… - Techniques de mesure des longueurs de diffusion de porteurs minoritaires

Micro-PCD, SPV… - Techniques de caractérisation fine MAFM, EDMR… - Techniques de caractérisation électrique à base de Testeurs électriques standard - Logiciels de simulation SPICE