Si

1. Nettoyage RCA Test hydrophobie

Si

2. Oxydation humide 6000-6500 angströms

SiO2

SiO2

Si

3. Photolithographie – Masque 1

SiO2

a - Dépôt résine photosensible positive

Résine Masque

b - Alignement du masque

SiO2

Si

3. Photolithographie – Masque 1

SiO2

Résine Masque

c - Insolation UV

Résine exposée UV

SiO2

Si

3. Photolithographie – Masque 1

SiO2

Résine Résine exposée UV

d - Développement résine – DEV > 0

Résine exposée UV

SiO2

Si

3. Photolithographie – Masque 1

SiO2

Résine

e - Gravure SiO2

Attention au risque de surgravure

SiO2

SiO2

Si

3. Photolithographie – Masque 1

Résine

f - Dé laquage - Remover

SiO2

Si

4. Dopage / Diffusion Bore

SiO2

B B B B B B B B B B B B B B

et décapage de l’oxyde de Bore ( HF )

Si dopé P

Si

SiO2

Si dopé P

5. Photolithographie – Masque 2 Ouverture de la grille

a - Dépôt résine photosensible positive

Résine Masque

b - Alignement du masque

Si

SiO2

Si dopé P

5. Photolithographie – Masque 2 Ouverture de la grille

Résine Masque

c - Insolation UV

d - Développement résine – DEV > 0

Si

SiO2

Si dopé P

5. Photolithographie – Masque 2 Ouverture de la grille

Résine

e - Gravure SiO2

Attention au risque de surgravure

Si

SiO2

Si dopé P

5. Photolithographie – Masque 2 Ouverture de la grille

Résine

Si

SiO2

Si dopé P

5. Photolithographie – Masque 2 Ouverture de la grille

f - Dé laquage - Remover

Nettoyage RCA

Si

SiO2

Si dopé P

6. Oxydation sèche Oxyde de grille – 900 à 1000 angströms

Si

SiO2

Si dopé P

Ouverture des contacts

7. Photolithographie – Masque 3

a - Dépôt résine photosensible positive

Résine Masque

b - Alignement du masque

Si

SiO2

Si dopé P

Ouverture des contacts

7. Photolithographie – Masque 3

Résine Masque

c - Insolation UV

d - Développement résine – DEV > 0

Si

SiO2

Si dopé P

Ouverture des contacts

7. Photolithographie – Masque 3

Résine

e - Gravure SiO2

Attention au risque de surgravure

f - Dé laquage - Remover

Si

SiO2

Si dopé P

Ouverture des contacts

7. Photolithographie – Masque 3

Résine

Si

SiO2

Si dopé P

8. Dépôt Aluminium

Aluminium

SiO2

Si

SiO2

Si dopé P

8. Photolithographie - Masque 4

Aluminium

Isolation des contacts d’aluminium

a - Dépôt résine photosensible positive

b - Alignement du masque

Résine

SiO2

Si

SiO2

Si dopé P

8. Photolithographie - Masque 4

Aluminium

Isolation des contacts d’aluminium

Résine

c - Insolation UV

SiO2

Si

SiO2

Si dopé P

8. Photolithographie - Masque 4

Aluminium

Isolation des contacts d’aluminium

Résine

d - Développement résine – DEV > 0

e - Gravure Aluminium

SiO2

Si

SiO2

Si dopé P

8. Photolithographie - Masque 4

Aluminium

Isolation des contacts d’aluminium

Résine

f - Dé laquage - RemoverRecuit aluminium

FIN

SiO2

S GD

PMOS

SiO2

Si

Résine

Résine exposée UV

Aluminium