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Institut Universitaire de Technologie de Tours Département Génie électrique et informatique industriel Oral Pré-projet GEII 2ème année Année universitaire 2004-2005 Institut Universitaire de Technologie de Tours Département Génie électrique et informatique industriel LE KARTING ELECTRIQUE Réalisation du hacheur boost Institut Universitaire de Technologie de Tours Département Génie électrique et informatique industriel Schéma synoptique 0 Institut Universitaire de Technologie de Tours Département Génie électrique et informatique industriel Schéma synoptique 1

Réalisation du hacheur boost Année universitaire 2004-2005 · implantat° circuit imprimé final 1 2 résolution pb de compatibilité 1 2 installation sur karting 1 2 Projet final

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Page 1: Réalisation du hacheur boost Année universitaire 2004-2005 · implantat° circuit imprimé final 1 2 résolution pb de compatibilité 1 2 installation sur karting 1 2 Projet final

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Institut Universitaire de Technologie de ToursDépartement Génie électrique et informatique

industriel

Oral Pré-projet

GEII 2ème année

Année universitaire 2004-2005

Institut Universitaire de Technologie de ToursDépartement Génie électrique et informatique

industriel

LE KARTING ELECTRIQUE

Réalisation du hacheur boost

Institut Universitaire de Technologie de ToursDépartement Génie électrique et informatique

industriel

Schéma synoptique 0

Institut Universitaire de Technologie de ToursDépartement Génie électrique et informatique

industriel

Schéma synoptique 1

Page 2: Réalisation du hacheur boost Année universitaire 2004-2005 · implantat° circuit imprimé final 1 2 résolution pb de compatibilité 1 2 installation sur karting 1 2 Projet final

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industriel

Schéma synoptique 2

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PLANPrincipe de fonctionnement du hacheur

Hacheur réversible et solution choisie

Choix des composants

Planning prévisionnel

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industriel

Principe de fonctionnement du hacheur

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industriel

PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT

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industriel

Hacheur réversible et solution choisie

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industriel

HACHEUR REVERSIBLE

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HACHEUR ENTRELASSE

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industriel

Choix des composants

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industriel

CHOIX DU TRANSISTOR

Transistor (référence) Tension (V)

Intensité(A)

Rds (m Ohms)

PertesStatiques

(W)Prix (€ HT)

IXFN170N10 100 170 10 56.25 35,68

FB180SA10 100 180 6,5 36.56 51,98

STE180NE10 100 180 4,5 25.31 38,21

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industriel

AMPLIFICATION DU SIGNAL

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industriel

CALCUL DE LA FREQUENCE

TON = 270+(60/2)+70+(70/2)+35+100 = 540ns

TOFF = 330+(35/2)+70+(30/2)+110+100 = 642.5ns

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ondulation fréquence

une bobine en sortie Pour 50KHz

150A 75A 1.67µH

60A 30A 4.16µH

30A 15A 8.33µH

15A 7.5A 16.6 µH

10A 5A 25µH

L=Ve/(4*dIL*F)

CALCUL DE L’INDUCTANCE

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Planning prévisionnel

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industriel

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12 m

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S37 S37 S38 S39 S40 S41 S42 S43 S44 S45 S46 S47 S48 S49 S50 S51 S52 S53 S01 S02 S03 S04 S05 S06 S07 S08 S09 S10 S11

Pré-projet : recherche 1 2 3 4 5 6

Pré-projet : rédaction

Formation Orcad 1 2

Choix et fabricat° inductance 1

Etude du STE180NE10 1

Etude ampli signal d'entrée 1

Réalisat° sur circuit imprimé 1 2

Prototype : rédaction

Modificat° & améliorat° prototype 1 2 3

implantat° circuit imprimé final 1 2

résolution pb de compatibilité 1 2

installation sur karting 1 2

Projet final : rédaction

Institut Universitaire de Technologie de ToursDépartement Génie électrique et informatique

industriel

CONCLUSIONProblème d’inductance

Organisation importante

Expérience intéressante

Bon encadrement