17 novembre 2013 AMPLIFICATEURS ÉTAGES 1 GPA667 CONCEPTION ET SIMULATION DE CIRCUITS ÉLECTRONIQUES...

17 novembre 2013AMPLIFICATEURS ÉTAGES1

GPA667GPA667

CONCEPTION ET SIMULATION

DE CIRCUITS ÉLECTRONIQUES

AMPLIFICATEURS EN CASCADEOU MULTIÉTAGES

17 novembre 2013AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE2

AMPLIFICATEURSAMPLIFICATEURSEN CASCADE OU MULTIÉTAGESEN CASCADE OU MULTIÉTAGES

Bloc amplificateurEffet de RS (source) et RL (charge) Topologies d’amplificateurs BJT et FETModèles et paramètres BJT et FETMise en cascade des étagesNotion de décibel (dB)

BLOC AMPLIFICATEURBLOC AMPLIFICATEUR

RÉSISTANCE DE CHARGE RRÉSISTANCE DE CHARGE RLL

RÉSISTANCE DE SOURCE RRÉSISTANCE DE SOURCE RSS

EFFET COMBINÉ DE REFFET COMBINÉ DE RSS et R et RLL

TOPOLOGIESTOPOLOGIES

Les paramètres AV, Zi et Zo pour les différentes topologies à BJT et FET sont disponibles au Tableau 5.1 du chapitre 5, Two-Port System Approach (« Electronic Devices and Circuit Theory », Boylestad e& Nashelski, édition 12)

Nous ferons simplementun rappel des paramètres qui figurent dans ce tableau et qui ont été vu au cours GPA325

MODÈLE TRANSISTOR BJT MODÈLE TRANSISTOR BJT Emetteur CommunEmetteur Commun

hie ≈ βre

ca ca = h= hfefe ≈ ≈ cccc

On peut négliger ro si ro > 10 RC où RC est la résistance dans le collecteur

Amplificateur BJTAmplificateur BJTémetteur commun, pol. baseémetteur commun, pol. base

Amplificateur BJTAmplificateur BJTcollecteur commun, pol. diviseurcollecteur commun, pol. diviseur

Amplificateur BJTAmplificateur BJTémetteur commun,émetteur commun,

pol. div., avec contre réaction émetteurpol. div., avec contre réaction émetteur

pol. diviseur, avec découplagepol. diviseur, avec découplage

pol. diviseur, avec découplage et pol. diviseur, avec découplage et contre réaction émetteurcontre réaction émetteur

Exemple Exemple (Boylestad & Nashelski)(Boylestad & Nashelski)

Calculer le gain AVs de l’amplificateur à transistor suivant

Exemple Exemple (Boylestad & Nashelski)(Boylestad & Nashelski) Zi = RB // βre

IB = (12-0.7)/470K IB = 24 uA

IE = 100 x IB = 2.4 mA

βre = 26 mV/IB = 1.08K

Zi = 470K // 1.08K = 1.07K

Zo = 3 K

AV = V0/Vi = -(RL//RC)/re

AV = -170

AVS = 1.07K/(0.3K + 1.07K)*AV

AVS = -133

TRANSISTORS JFETTRANSISTORS JFET

ÉQUATION DU JFET ou

ÉQUATION DE SHOCKLEY

COUBE DE TRANSFERT JFETCOUBE DE TRANSFERT JFET

ÉQUATION DE LA COURBE DE TRANSFERT IDS vs VGS

COURBE DE TRANSFERT JFETCOURBE DE TRANSFERT JFETPOINTS PARTICULIERSPOINTS PARTICULIERS

COURBES DE TRANSFERTCOURBES DE TRANSFERTET DE SORTIE, JFET NET DE SORTIE, JFET N

TRANSFERT SORTIE

MODÈLE DE JFETMODÈLE DE JFET

RELATIONS IMPORTANTESRELATIONS IMPORTANTES

MODÈLE FETMODÈLE FET

MODÈLE JFET gMODÈLE JFET gmm

MODÈLE JFET rMODÈLE JFET rdd

Amplificateur FETAmplificateur FETsource commune,source commune,

pol. auto, avec découplagepol. auto, avec découplage

Amplificateur FETAmplificateur FETsource commune,source commune,

pol. auto, avec contre réactionpol. auto, avec contre réaction

Amplificateur FETAmplificateur FETdrain commun,drain commun,

pol. auto (Rpol. auto (RDD = 0) = 0)

MISE EN CASCADEMISE EN CASCADEAMPLIFICATEUR MULTIÉTAGESAMPLIFICATEUR MULTIÉTAGES

Exemple 5.14 Exemple 5.14 (Boylestad & Nashelski)(Boylestad & Nashelski)

Figure 5.68 Exemple 5.14

Le gain en charge du premier étage émetteur commun est :

Le gain en charge du deuxième étage base commune est :

Le gain total AVT des deux étages en cascade est :

Le gain total des deux étages en cascade incluant la résistance de source Rs est :

GAIN DE TENSION :GAIN DE TENSION :SOMME DES GAINS EN dBSOMME DES GAINS EN dB

RAPPORT DE PUISSANCE : RAPPORT DE PUISSANCE : BELBEL

DÉCIBELDÉCIBEL

RAPPORT DE TENSION :RAPPORT DE TENSION :DÉCIBELDÉCIBEL

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