BU42G シリーズ, BU42F シリーズ, BU42**FVE シリーズ, … · zj 4.1v bu4241 yn 2.1v bu4221 1a 4.1v bu4341 0e 2.1v bu4321 zh 4.0v bu4240 ym 2.0v bu4220 0z 4.0v bu4340

www.rohm.com © 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. TSZ02201-0R7R0G300050-1-1 TSZ22111･14･001 1/13 2011.11.01 Rev.001

Datasheet

リセット IC シリーズ低電圧自由遅延時間設定 CMOS リセット IC BU42G シリーズ, BU42F シリーズ, BU42FVE シリーズ, BU43G シリーズ, BU43F シリーズ, BU43FVE シリーズ

概要ロームの自由遅延時間設定 CMOS リセット IC シリーズ

は、CMOS プロセスを採用した高精度・低消費電流の遅

延回路内蔵 CMOS RESET IC シリーズです。遅延時間を

外付けコンデンサにより設定可能です。アプリケーショ

ンに合わせて選択いただけるよう Nch オープンドレイン

出力の(BU42G/F/FVE)シリーズと、CMOS 出力の

(BU43G/F/FVE)シリーズを用意しました。検出電圧

は 0.9V～4.8V まで、0.1V ステップでラインアップいた

しました。特長

検出電圧は 0.1Vステップで 0.9V～4.8Vをラインアップ Nch オープンドレイン出力(BU42G/F/FVE)、CMOS出力(BU43G/F/FVE)

超低消費電流高精度検出電圧：±1% 小型面実装パッケージ

重要特性検出電圧範囲: 0.9V to 4.8V (Typ.)

0.1V steps 高精度検出電圧: ±1.0% 超低消費電流: 0.55µA (Typ.) 動作範囲温度: -40°C to +125°C

パッケージ SSOP5: 2.90mm x 2.80mm x 1.15mm SOP4: 2.00mm x 2.10mm x 0.95mm VSOF: 1.60mm x 1.60mm x 0.60mm

用途マイコン・ロジックを使用するすべての電子機器

アプリケーション回路

端子配置図 SSOP5 SOP4 VSOF5

PIN No.

Symbol Function PIN

No. Symbol Function

PIN No.

Symbol Function

1 VOUT リセット出力 1 GND GND 1 VOUT リセット出力

2 VDD 電源電圧 2 VDD 電源電圧 2 SUB サブストレート※

3 GND GND 3 CT 出力遅延用コンデンサ接続端子 3 CT 出力遅延用

コンデンサ接続端子 4 N.C. 未接続端子 4 VOUT リセット出力 4 VDD 電源電圧

5 CT 出力遅延用コンデンサ接続端子

- - 5 GND GND

CMOS 出力タイプ BU43

VDD1

BU42

VDD2

GND

Microcontroller

RST

CL (Capacitor for noise filtering)

CT

RL

CIN

VDD1

BU43

CIN

GND

CT

Microcontroller

RST

CL (Capacitor for noise filtering)

TOP VIEW TOP VIEW TOP VIEW

VDD VOUT GND

N.C. CT

オープンドレイン出力タイプ BU42

GND VDD

CTVOUT

1 2

3 4

VOUT SUB CT

GND VDD4

3 2 1

5

※サブストレートは GND と接続してください。

標印 Lot. No 標印 Lot. No 標印 Lot. No

Datasheet


BU42G シリーズ, BU42F シリーズ, BU42FVE シリーズ, BU43G シリーズ, BU43F シリーズ, BU43FVE シリーズ

発注情報

B U 4 2 0 9 G － T R

BU42: 自由遅延時間設定リセット電圧値パッケージ包装、フォーミング仕様 TR: リール状エンボステーピング CMOS リセット IC 09 : 0.9V (0.1V step)

48 : 4.8V G: SSOP5 F: SOP4 FVE: VSOF5

オープンドレインタイプ

BU43: 自由遅延時間設定 CMOS リセット IC CMOS 出力タイプ

ラインアップ標印電圧値機種名標印電圧値機種名標印電圧値機種名標印電圧値機種名 ZR 4.8V BU4248 YV 2.8V BU4228 1H 4.8V BU4348 0M 2.8V BU4328ZQ 4.7V BU4247 YU 2.7V BU4227 1G 4.7V BU4347 0L 2.7V BU4327ZP 4.6V BU4246 YT 2.6V BU4226 1F 4.6V BU4346 0K 2.6V BU4326ZN 4.5V BU4245 YS 2.5V BU4225 1E 4.5V BU4345 0J 2.5V BU4325ZM 4.4V BU4244 YR 2.4V BU4224 1D 4.4V BU4344 0H 2.4V BU4324ZL 4.3V BU4243 YQ 2.3V BU4223 1C 4.3V BU4343 0G 2.3V BU4323ZK 4.2V BU4242 YP 2.2V BU4222 1B 4.2V BU4342 0F 2.2V BU4322ZJ 4.1V BU4241 YN 2.1V BU4221 1A 4.1V BU4341 0E 2.1V BU4321ZH 4.0V BU4240 YM 2.0V BU4220 0Z 4.0V BU4340 0D 2.0V BU4320ZG 3.9V BU4239 YL 1.9V BU4219 0Y 3.9V BU4339 0C 1.9V BU4319ZF 3.8V BU4238 YK 1.8V BU4218 0X 3.8V BU4338 0B 1.8V BU4318ZE 3.7V BU4237 YJ 1.7V BU4217 0W 3.7V BU4337 0A 1.7V BU4317ZD 3.6V BU4236 YH 1.6V BU4216 0V 3.6V BU4336 ZZ 1.6V BU4316ZC 3.5V BU4235 YG 1.5V BU4215 0U 3.5V BU4335 ZY 1.5V BU4315ZB 3.4V BU4234 YF 1.4V BU4214 0T 3.4V BU4334 ZX 1.4V BU4314ZA 3.3V BU4233 YE 1.3V BU4213 0S 3.3V BU4333 ZW 1.3V BU4313YZ 3.2V BU4232 YD 1.2V BU4212 0R 3.2V BU4332 ZV 1.2V BU4312YY 3.1V BU4231 YC 1.1V BU4211 0Q 3.1V BU4331 ZU 1.1V BU4311YX 3.0V BU4230 YB 1.0V BU4210 0P 3.0V BU4330 ZT 1.0V BU4310YW 2.9V BU4229 YA 0.9V BU4209 0N 2.9V BU4329 ZS 0.9V BU4309

(Unit : mm)

SSOP5

2.9±0.2

0.13

4° +6°−4°

1.6

2.8±

0.2

1.1±

0.05

0.05

±0.0

5

+0.2

−0.1

+0.05−0.03

0.42+0.05−0.04

0.95

5 4

1 2 3

1.25

Max

.

0.2M

in.

0.1

(Unit : mm)

SOP4

2.1±

0.2

0.05

1.3

2.0±0.2

1 2

4 31.25

+0.

2–0

.1

4°+6°

0.27

±0.1

5

–4°

0.13+0.05–0.03

0.9±

0.05

0.05

±0.0

5

1.05

Max

.

0.32 +0.05–0.04

0.42+0.05–0.04

S

0.1 S

(Unit : mm)

VSOF5

1.2

±0.0

5

4

3

1.0±0.05

1

0.6M

AX

0.22±0.050.5

5

1.6±0.05

0.13±0.05

0.2M

AX

2

1.6

±0.0

5

(MAX

1.2

8 in

clude

BUR

R)

Datasheet



絶対最大定格 (Ta=25°C) 項目記号定格単位

電源電圧 VDD－GND -0.3 ~ +7 V

出力電圧 Nch オープンドレイン出力

VOUT GND-0.3 ~ +7

V CMOS 出力 GND-0.3 ~ VDD+0.3

許容損失 SSOP5 *1 *4

Pd 540

mW SOP4 *2 *4 400 VSOF5 *3 *4 210

保存周囲温度 Tstg -55 ~ +125 °C *1 Ta=25以上で使用する場合は、1につき 5.4mW を減じる。 *2 Ta=25以上で使用する場合は、1につき 4.0mW を減じる。 *3 Ta=25以上で使用する場合は、1につき 2.1mW を減じる。 *4 ローム標準基板(70mm×70mm×1.6mm，ガラスエポキシ基板)実装時。

推奨動作条件項目記号定格単位

動作電源電圧範囲 VDD +0.9 ~ +6.5 V 動作温度範囲 Topr -40 ~ +125 °C

電気的特性 (特に指定のない限り Ta=25°C)

項目記号条件規格値

単位最小標準最大

検出電圧 VDET VDD=H L, Ta=25°C, RL=470kΩ Vdet(T) ×0.99 Vdet(T) Vdet(T)

×1.01 V

ON 時回路電流 IDD1 VDD=VDET-0.2V

VDET =0.9-1.3V - 0.15 0.88

µA

VDET =1.4-2.1V - 0.20 1.05 VDET =2.2-2.7V - 0.25 1.23 VDET =2.8-3.3V - 0.30 1.40 VDET =3.4-4.2V - 0.35 1.58 VDET =4.3-4.8V - 0.40 1.75

OFF 時回路電流 IDD2 VDD=VDET+2.0V

VDET =0.9-1.3V - 0.30 1.40

µA

VDET =1.4-2.1V - 0.35 1.58 VDET =2.2-2.7V - 0.40 1.75 VDET =2.8-3.3V - 0.45 1.93 VDET =3.4-4.2V - 0.50 2.10 VDET =4.3-4.8V - 0.55 2.28

動作範囲電圧 VOPL VOL≤0.4V, Ta=25~125°C, RL=470kΩ 0.70 - -

V VOL≤0.4V, Ta=-40~25°C, RL=470kΩ 0.90 - -

“L”出力電流 (Nch) IOL VDS=0.05V VDD=0.85V 20 100 - µA VDS=0.5V VDD=1.5V VDET=1.7-4.8V 1.0 3.3 -

mA VDS=0.5V VDD=2.4V VDET=2.7-4.8V 3.6 6.5 -

“H”出力電流 (Pch) IOH VDS=0.5V VDD=6.0V VDET=4.0-4.8V 2.0 4.0 - mA

出力リーク電流 Ileak VDD=VDS=7V Ta=-40~85°C - 0 0.1

µA VDD=VDS=7V Ta=85~125°C - 0 1

“H”出力電流 (Pch) IOH VDS=0.5V VDD=4.8V VDET=0.9-3.9V 1.7 3.4 -

mA VDS=0.5V VDD=6.0V VDET=4.0-4.8V 2.0 4.0 -

遅延端子しきい値電圧 VCTH

VDD=VDET×1.1, VDET=0.9-2.5V Ta=25°C RL=470kΩ

Vdd ×0.35

Vdd ×0.45

Vdd ×0.55 V VDD=VDET×1.1, VDET=2.6-4.8V Ta=25°C

RL=470kΩ Vdd

×0.40 Vdd

×0.50 Vdd

×0.60遅延回路抵抗 RCT VDD=VDET×1.1 VCT=0.5V Ta=25°C *1 9 10 11 MΩ

遅延端子出力電流 ICT VCT=0.1V VDD=0.85V 5 40 -

µA VCT=0.5V VDD=1.5V VDET=1.7-4.8V 200 400 -

検出電圧温度係数 VDET/∆T Ta=-40°C ~125°C - ±30 - ppm/°C

ヒステリシス電圧 ∆VDET VDD=L H L Ta=-40~125°C RL=470kΩ

VDET≤1.0V Vdet ×0.03

Vdet ×0.05

Vdet ×0.08 V

VDET≥1.1V Vdet ×0.03

Vdet ×0.05

Vdet ×0.07

*1 ：設計保証は出荷全数検査を行っていません。 VDET(T) ：設定検出電圧値(0.9V~4.8V、0.1V step) Rｌ：Vout－電源間のプルアップ抵抗

Datasheet



ブロック図

Vref

VOUT

VDD

GND CT

Fig.1 BU42 Series

Vref

VOUT

VDD

GND CT

Fig.2 BU43 Series

Datasheet



特性データ(特に指定のない限り Ta=25°C)

Fig.3 回路電流

0.0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0 1 2 3 4 5 6 7

VDD SUPPLY VOLTAGE ：VDD[V]

CIR

CU

IT C

UR

RE

NT

： ID

D[μ

A]

0

1

2

3

4

5

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5

DRAIN-SOURCE VOLTAGE ： VDS[V]"L

OW

" OU

TPU

T C

UR

REN

T ： IO

L [mA

]

VDD=1.2V

【BU4216F】

Fig.4“L”出力電流

0

5

10

15

20

25

0 1 2 3 4 5 6

DRAIN-SOURCE VOLTAGE ： VDS[V]

"HIG

H" O

UTP

UT

CU

RR

EN

T ： IO

H[m

A]

【BU4318G】

VDD=6.0V

VDD=4.8V

Fig.5 “H”出力電流 Fig.6 I/O 特性

0

1

2

3

4

5

6

7

0 1 2 3 4 5 6 7

VDD SUPPLY VOLTAGE ：VDD[V]

OU

TPU

T V

OLT

AG

E　： V

OU

T[V

] 【BU4216F】

Datasheet



0.0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

-40 0 40 80 120

TEMPERATURE ： Ta[]

CIR

CU

IT C

UR

RE

NT

WH

EN

ON

： I D

D1[μ

A]

【BU4216F】

Fig.10 ON 時回路電流 Fig.9 検出電圧-解除電圧

1.0

1.5

2.0

-40 0 40 80 120


DE

TEC

TIO

N V

OLT

AG

E　： V

DE

T [V]

Low to high(VDET+ΔVDET)

High to low(VDET)

【BU4216F】

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5

VDD SUPPLY VOLTAGE ： VDD[V]

OU

TPU

T V

OLT

AG

E　： V

OU

T[V

] 【BU4216F】

Fig.7 動作限界電圧

0

100

200

300

400

500

600

700

0 0.5 1 1.5 2 2.5

VDD SUPPLY VOLTAGE ： VDD[V]C

T O

UTP

UT

CU

RR

EN

T ：

ICT[μ

A] 【BU4216F】

Fig.8 Ct 端子電流

Datasheet



0.0

0.5

1.0

-40 0 40 80 120

TEMPERATURE ： Ta[]M

INIM

UM

OP

ER

ATI

NG

VO

LTA

GE

： V

OP

L[V

]

【BU4216F】

Fig.12 動作限界電圧

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

-40 0 40 80 120


RE

SIS

TAN

CE

OF

CT

： R

CT[M

Ω] 【BU4216F】

Fig.13 Ct 端子回路抵抗

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

10000

0.0001 0.001 0.01 0.1

CAPACITANCE OF CT ： CCT[μF]

DE

LAY

TIM

E ：

TP

LH[m

s]

【BU4216F】

Fig.14 遅延時間（TPLH）と Ct 端子外付けコンデンサ容量

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

-40 0 40 80 120


CIR

CU

IT C

UR

RE

NT

WH

EN

OFF

： I D

D2[μ

A]

【BU4216F】

Fig.11 OFF 時回路電流

Datasheet



アプリケーションヒント動作説明オープンドレインタイプ(Fig.15)と CMOS 出力タイプ(Fig.16)共に、検出電圧及び解除電圧をスレッショルド電圧とし、VDD Pin に印加された電圧が各々のスレッショルド電圧に達した時、VOUT 端子電圧は “H” → “L” また “L ”→ “H” に切り換わります。BU42G/F/FVE，BU43G/F/FVE は遅延機能付のため、出力が “L” → “H” に切り換わる時、外付けコンデンサ(CCT)の値で決まる遅延時間 TPLH を設定することができます。BU42G/F/FVE シリーズでは出力形式

がオープンドレイン方式であるため、プルアップ抵抗を VDD または他の電源との間に接続してください。 (この場合の出力(VOUT)H 電圧は VDD もしくは他の電源電圧になります。)

Fig.15(BU42タイプ内部ブロック図) Fig.16(BU43タイプ内部ブロック図)

リセット伝達遅延時間の設定 CT 端子に接続するコンデンサの容量値 CCT の値により、VDD 立ち上げ時の遅延時間 TPLH を設定することができます。・VDD 立ち上げ時遅延時間 TPLH：VDD が立ち上がり、解除電圧(VDET+ΔVDET)を超えてから、VOUT が 1/2VDD の電圧になるまでの時間。計算式

TPLH = -1×CCT×RCT×ln CCT：CT 端子外付けコンデンサ RCT：CT 端子内部インピーダンス (P.2 の電気的特性の遅延回路抵抗 RCT を参照してください) VCTH：遅延端子しきい値電圧 (P.2 の電気的特性の遅延端子しきい値電圧 VCTH を参照してください) ln：自然対数

参考データ出力立ち下がり(tPHL)特性例

形名 tPHL[μs] BU4245G 275.7 BU4345G 359.3

※このデータは参考データです。アプリケーションにより変動することがあるので実際の動作を十分確認の上、ご使用ください。

タイミング波形入力電源電圧 VDD を SWEEP UP 及び SWEEP DOWN させた時の入力電圧 VDD、CT 端子電圧 VCT，出力電圧 VOUT の関係は以下のようになります。(回路は P5 Fig.15,16 です。)下図の①～⑤について説明します。

①電源投入時、VDD が動作限界電圧(VOPL)を超え TPHL 後までの間出

力は不定です。よって TPHL より VDD の立ち上がりスピードが速い場

合 RESET 信号が出ない可能性があります。 ②VDD が VOPL 以上でリセット解除電圧(VDET+ΔVDET)以下では CT端子電圧(VCT)は“L”で、出力(VOUT)も“L”です。 ③VDD がリセット解除電圧(VDET+ΔVDET)以上になると、CT 端子に

接続されたコンデンサの値によって設定された遅延時間 TPLH 遅れて VOUT が“L”から“H”に切り換わります。 ④電源立ち下がり時や電源瞬断時において VDD が検出電圧(VDET) 以下になると遅延時間 TPHL 遅れて VOUT=L になります。 ⑤検出電圧と解除電圧との電位差をヒステリシス幅(ΔVDET)といい

ます。このヒステリシス幅以内の電源変動では出力がばたつかず、ノ

イズによる誤動作を防止できるよう設計されています。

Vref

VDD

GND

CT

R1

R2

R3Q3

Q1

VOUT RESET

VDD

Vref

VDD

GND

CT

R1

R2

R3Q3

Q2

VOUT

RESET

Q1

VDD

VDD-VCTH VDD

Fig.17

VDD VDET+ΔVDET

VDET

VOPL0V

1/2 VDD

TPHL

①

TPLH

TPHL

TPLH

② ③ ④

⑤

VCT

VOUT

Datasheet



応用回路例 1) 通常の電源検出リセットとしての応用回路例を以下に示します。

BU42G/F/FVE シリーズ(出力段がオープンドレイン) と BU43G/F/FVE シリーズ(出力段が CMOS タイプ) では出力端子の形式が異なります。使用方法の一例を次に示します。 ①マイコンの電源 VDD2 とリセット検出用電源 VDD1 が異なる場合： Fig.18 のようにオープンドレイン出力タイプ (BU42G/F/FVE シリーズ)の出力に負荷抵抗 RL

を VDD2 側につけてお使いください。 ②マイコンの電源とリセット電源が同一(VDD1)の場合：

CMOS 出力タイプ(BU43G/F/FVE シリーズ)で Fig.19 のようにお使いください。もしくは、オープンドレイン出力タイプ (BU42G/F/FVE シリーズ)で RL を VDD1 側に接続してもお使いいただけます。

VOUT 端子(マイコンのリセット信号入力端子)にノイズ除去用コンデンサ CL を接続する場合は、 VOUT 端子の立ち上がり時、及び立ち下がり時に VOUT 端子の波形がなまりますので、問題がないか確認のうえ使用してください。

VDD1

BU42

VDD2

GND

RST マイコン

CL （ノイズ除去用

コンデンサ）

CT

RL

CIN

Fig.18 オープンコレクタ出力タイプ

CL （ノイズ除去用

コンデンサ）

VDD1

BU43 RST マイコン

CIN

GND

CT

Fig.19 CMOS 出力タイプ

Datasheet



使用上の注意点 1 . 絶対最大規格について

本製品におきましては、品質管理には十分注意を払っておりますが、印加電圧及び動作温度範囲などの絶対最大定格を超えた場合は劣化または破壊に至る可能性があります。いかなる場合においても瞬時たりとも絶対最大定格を超えることがないように設計してください。またショートモードもしくはオープンモードなど、破壊状態を想定できません。絶対最大定格を超えるような特殊モードが想定される場合、ヒューズ等、物理的な安全対策を施して頂けるようご検討

お願いします。 2 . GND 電位について

GND ピンの電位はいかなる動作状態においても、最低電位になるようにしてください。また実際に過渡現象を含め GND 以下の電圧になっている端子がないかご確認ください。

3 . 電気的特性について

本仕様に掲載されている電気的特性は、温度、電源電圧、外付けの回路等の条件によって変化する場合がありますので、

過渡特性を含めて十分な確認をお願い致します。 4 . ノイズ除去用バイパスコンデンサについて

IC の安定動作のため、電源端子と GND 間には 1μF 以上、出力端子と GND 間には 1000pF 程度のコンデンサを入れることを推奨します。ただし極端に大きなコンデンサを使用しますと、過渡応答速度が遅くなる恐れも考えられますので、十分な確認をお願いします。

5 . ピン間ショートと誤装着について

出力ピン―VDD 間、出力ピン―GND 間、及び VDD―GND 間はショートを行わないようにしてください。また、プリント基板に取り付ける際、IC の向きや位置ずれに十分に注意してください。誤って取り付けた場合、IC が破壊する恐れがあります。

6 . 強電磁界中の動作について

強電磁界中でのご使用では、誤動作をする可能性がありますのでご注意ください。 7 . 電源ラインのインピーダンスが高い状態で使用する場合、検出時の貫通電流により発振する場合があります。 8 . 電源ラインのインピーダンスが高い場合は、VDD－GND 間(できるだけ端子に近い場所)にコンデンサを接続してください。 9 . VDD が低下し動作限界電圧以下になると出力は不定となり、出力がプルアップされている時、出力は VDD になります。

10. 本シリーズを遅延機能無しでご使用の場合、CT 端子－VDD 間に 470kΩ以上の抵抗を挿入することを推奨いたします。 11. RL の値は、50kΩ以上(VDET=1.5V～4.8V 製品)100kΩ以上(VDET=0.9V～1.4V 製品)を推奨します。 12. 本 IC は、高インピーダンス設計になっているため、使用条件によっては、基板のよごれ等による予期せぬリーク経路に

影響を受ける可能性があります。よって、外付け定数に十分注意してください。例えば、CT 端子-GND 間で 10MΩ 程度のリークが想定される場合、VDD-CT 端子間に並列に外付け抵抗 1MΩを追加する等の対策を推奨します。また、出力-GND 間で同様のリークが想定される場合、プルアップ抵抗値を想定されるリーク経路のインピーダンスの

1/10 以下とすることを推奨致します。なお、CT 端子に外付けを付加した場合、遅延時間設定式 τ×RCT×CCT の係数

RCT が変わりますので、再設定をお願いします。 13. 遅延時間設定 (tPLH)

tPLH =τ×RCT×CCT (sec) τ ：時定数 RCT (Ω) ： IC 内蔵の抵抗で 10MΩ(Typ.)に設計されております。 CCT (F) ：外付けのコンデンサの容量です。

推奨 CT コンデンサ容量 100pF 以上 ―参考値―

(τ×RCT)： VDET=0.9V～2.5V の場合

Ta=25 ( min：5.1×106 typ：6.0×106

max：6.9×106 ) Ta=-25～+125 ( min：3.3×106

typ：6.0×106 max：8.7×106 )

VDET=2.6V～4.8V の場合 Ta=25 ( min：5.9×106

typ：6.9×106 max：7.9×106 )

Ta=-25～+125 ( min：3.8×106 typ：6.9×106

max：10.0×106 )

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14. 外付け定数について

CT は 100pF～0.1μF、RL は 50kΩ～1MΩの範囲を推奨しておりますが、基板のレイアウトなどにより変化しますので、実動作を充分ご確認の上、ご使用ください。

15. CT 端子の放電について

入力に短いパルスが入力された場合、CT 端子の放電トランジスタの能力によって充分な放電がされず、規定の遅延時間が発生しない場合があります。実動作を充分ご確認ください。

16. 電源起動時のリセット動作について

電源起動時のリセット出力については、立ち上がり時間に応じて変化致しますので、充分なご確認をお願いします。

17. セット基板での検査についてセット基板での検査時に、インピーダンスの低いピンにコンデンサを接続する場合は、IC にストレスがかかる恐れがあるので、1 工程ごとに必ず放電を行ってください。静電気対策として、組立工程にはアースを施し、運搬や保存の際には十分ご注意ください。また、検査工程での治具への接続をする際には必ず電源を OFF にしてから接続し、電源を OFF にしてから取り外してください。

18. CMOS IC では電源投入時に内部論理不定状態で、瞬間的にラッシュカレントが流れる場合がありますので、

電源カップリング容量や電源、GND パターン配線の幅、引き回しに注意してください。

この文書の取り扱いに対してこの文書の日本語版が、正式な仕様書です。この文書の翻訳版は、正式な仕様書を読むための参考としてください。なお、相違が生じた場合は、正式な仕様書を優先してください。

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