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Micro-Usinage sur SiC Micro-Usinage sur SiC

Micro-Usinage sur SiC. Introduction Objectifs du stage Travaux préliminaires Les étapes du process Létape dinsolation Exemple dinterprétation des mesures

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Micro-Usinage sur SiCMicro-Usinage sur SiC

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Introduction

• Objectifs du stage• Travaux préliminaires• Les étapes du process• L’étape d’insolation• Exemple d’interprétation des mesures

d’épaisseur.• La métallisation• La gravure sur SiC• Conclusion

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Objectifs

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Travaux préliminaires

• Elaboration des masques

• Choix du métal : NiCr

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Quelques étapes du process

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L’étape d’insolation

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Interprétation des mesures d’épaisseur (1/2)

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Interprétation des mesures d’épaisseur (2/2)

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Métallisation / Gravure : Définitions

• Le plasma • La source RF.

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La métallisation

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La gravure sèche (par plasma)

• Pourquoi la gravure sèche?

• Difficultés posés.

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Principe d’une gravure sèche

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Mécanismes de la gravure sèche

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Gravure Ionique Réactive (RIE)

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Gravure ECR (celle utilisée) :

•Taux d’ionisation plus élevé.

•Travail sous pression plus basse.

•Création plasma et accélération des ions séparées.

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Bâti de gravure ECR

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CONCLUSIONCONCLUSION