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i l i j iH.ti l j MMdHtagancmi ) . MHMi Mi i i i n i i i i i i ^i i i (f uc AtMi ui pm,I9!1^MJ ),. i,Ml IJHf l t Wt *uptol eeti oni quc etnergi e Mi l l i on de module Physique des semi conducteurs (01 heure 30mn) Val eursapproxi mati ves des gapsdeSi , Ge, et GaAs l atempratureambiante ? i |tyfjJ M mi conducteur gapindirect ou direct ? J usti fi ezvos rponses..(02pts) flHi^iH1 *i ' ' 1 1l i ons cl les trous sont i l s rparti s dans l aBC et l aBV, respectivement. (02pts) Mi'Mift*(Ml M'i ni -conducteurcontenantune densi tN|it(iffiSoient hi\e nombre de donneurs ioniss, et N"ale nombre d'accepteursi oni ss. |)tliiit"i1,'quati onde neutral i tl ectri que du matri au.(01,5pts) IQue ((['vient cette quati onde neutral i t dansle cas d'un semi-conducteur de type n, non i l j 'l i ret dpourvud'accepteurs. (01,5pts) )I j i i rl Ul' i l In posi ti onduniveaudeFermipourunsemiconducteuri ntri nsque.J ustifiezvotre ff-jMhM-.(O.'pis) ~)jIttici quel cas les porteurs majoritaires sont les l ectronset les porteurs mi nori tai res sont les trous P l|mmentent..(02pts) f"( iiinnieiitvol uele ni veaudeFermiavec latemprature.Donner l ' Al l ure de vari ati on du ni veau tii- I ei miavec latempraturedans un semi conducteur de type n avec Nv>Nc..(02pts) I |Quel l es sontles quati onsdecourants et de conti nui ts pour l ' l ectronet le trou. (03pts) I)( ui ni i i enlfait-onapparatreunecharge d'espacedepartet d'autre dela j oncti on.Expl i querpar un Kchma. (02pts) J)Quelle estlasi gni fi cati onphysi que qu'on peut donner la longueur de Debye. (02pts)