FICHEPROJET
Micro Espion 88-108 MHz
Juin/Juillet2002-NouvelleElectronique-89
U
npetitmontagesimplequivouspermettradcoutersurlabandeFM(88-108MHz)toutcequisepassedanssonenvironnementdefaonclaireetprcise.
FONCTIONNEMENT
LemontageestconstruitautourdunoscillateurdetypeCOLPITTSquevientmodulerunmicrolec-tret.LetransistorT1(BC550)sert
lafoisdamplificateurdesignalBFetdoscillateurHF.
Lafrquencedmissionestajus-tablegrceC4(222pF)quipermetdecalerlmetteurlen-droitdsirsurlabandeFM.
T4nouvelle
Fig.1Schmalectrique.
LISTEDESCOMPOSANTS
R1 = 15kohmsR2 = 100 KohmsR3 = 100ohms C1 = 100nFmilfeuilC2 =
220pFcramiqueC3 = 220pFcramiqueC4 = 2-22pFajustableC5 =
4,7pFcramiqueT1 = BC550NPNL1 = Self(voirtexte)M1 = MicrolectretS1 =
Inverseurunipolaire
90 -NouvelleElectronique-Juin/Juillet2002
MONTAGE
Cblerlesrsistances,lesconden-sateurs(sauflajustablequiseramontendernieraveclemicrolectret),laselfetletransistor.
*L1estconstituede6spiresdefildecuivremaillde7/10medemmbobinssurunequeuedefo-rtde4mm.
LaselfL1doittreraliseavecunsointoutparticuliersouspeinedemauvaisfonctionnementdumon-tage.(ImpossibilitdesecalerdanslabandeFM).
Latailledumontagepermetselonvotrechoixdtreinstalldansunbotiercontenantlapileoudtredissimuldansunpaquetdeciga-rettes.Linterrupteurseramontauchoixsurlafaadedubotieroulint-rieurdunpaquetdecigarettesparexemple.
MISEENSERVICE
1) BrancherunrcepteurFMsurunefrquencenonoccupe.2)
Mettrelmetteurenmarche.3)
AjusterC4defaoncaptersurlercepteurlesignalprovenantdelmetteur.4)
Unefoislerglageapproch,affinerenjouantsurlesrglages
C4etdurcepteurFMafindavoirlameilleurequalitdesonpos-sible.(Lerglagedurcepteurpeuttrepoussdefaonaug-menterlasensibilitpourlcoutedessonsfaibles).
Lantenneatralisesurlecir-cuitimprim,cequipermetdviterdeperturberloscillateur.Nousavonsnotuneconsomma-tionde6,5mA
etnotreessainousapermisdedtermineruneportevuedelordredunecentainedemtres.
Important :
Lerglageseraeffec-tulaideduntournevisAmagn-tique(doncenplastiqueoualaideduncuredenttaill).
FICHEPROJET
Micro Espion 88-108 MHz
T4nouvelle
EK025
Fig.2Reproductionducircuitimprimlchelle1vuctcuivre.
EK025C4
C5
C1
MICROL1
T1R3
R2
C3
R1
C2
S1
Fig.3Schmadimplantation.
Symbole Paramtres Conditions MIN. TYP. MAX. UNIT
ICBO Collectorcut-offcurrent IE =0;VCB =30V - - 15 AIE
=0;VCB=30V;Tj =150C - - 5 A
IEBO Emittercut-offcurrent IC=0;VEB =5V - - 100 AhFE
DCcurrentgain
BC549C;BC550C IC =10A;VCE=5V; - 270 -IC =2mA;VCE =5V; 420 520
800
VECsat Collector-emittersaturationvoltage IC =10mA;IB =0.5mA -
90 250 mVIC =100mA ;IB =5mA - 200 600 mV
VBEsat Base-emittersaturationvoltage IC =10mA;IB=0.5mA;note1 -
700 - mVIC =100mA;IB =5mA;note1 - 900 - mV
VBE Base-emittervoltage IC =2mA;VCE =5V;note2 580 660 770 mVIC
=10mA;VCE =5V;note2 - - 770 mV
CC Collectorcapacitance IE =ie =o;VCB =10V;f=1MHz - 1.5 - pFCe
Emittercapacitance IC =ic =0;VEB =0.5V;f=1MHz - 11 - pFfT
Transitionfrequency IC =10mA;VCE =5V; 100 - - MHz
f=100MHzF Noisefigure IC =200A;VCE =5V; - - 4 dB
RS =2k;f=10Hzto15.7kHzIC =200A;VCE =5V - - 4
dBRS=2k;f=1kHz;B=200Hz
Notes1.VBEsat
decreasesbyabout1.7mV/Kwithincreasingtemperature.2.VBE
decreasesbyabout2mV/Kwithincreasingtemperature.
CaractristiquesduBC550.Tj=25Cunlessotherwisespecified.
